The Growth of GaN on a Si Substrate using AIN Buffer Layer

송복식 ,  김영호 ,  정성훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Surface Analysis of Plasma Pretreated Sapphire Substrate for Aluminum Nitride Buffer Layer

Jeong ,  Woo Seop ,  Kim 외 9명

한국재료학회지

2017 .01

Growth and characterization using an GaN Buffer Layer by Low Pressure MOCVD

손성진 ,  이철로 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

The Influence of AlN Buffer Layer Thickness on the Growth of GaN on a Si(111) Substrate with an Ultrathin Al Layer

Hae-Yong Kwon ,  Jin-Young Moon ,  Min-Kun Bae 외 2명

Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET)

2008 .05

GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향

조용석 ,  고의관 ,  박용주 외 4명

한국재료학회지

2001 .01

Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD

In Hwan Lee ,  Cheul Ro Lee ,  Seong Jin Son 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구

백호선 ,  이정욱 ,  김하진 외 1명

한국재료학회지

1999 .01

AlGaN/GaN 전력소자 내부 GaN Buffer Layer의 전기적 결함 추출 방법에 관한 연구

최효승 ,  정훈 ,  장승엽 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2014 .06

Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer

이철로 ,  손성진 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Crystal Growth and Properties of GaN Layers on Sapphire Substrate

김선태 ,  문동찬 ,  최원진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Growth of Substrate-Free GaN Wafer

이영주 ,  김선태

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

MBE에서 buffer층 성장조건이 GaN 특성에 미치는 영향

이상현 ,  김경현 ,  강석준 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2000 .01

HF 크리닝 처리한 코발트실리사이드 버퍼층 위에 PA-MBE로 성장시킨 GaN의 에피택시

하준석 ,  장지호 ,  송오성

한국산학기술학회 논문지

2010 .02

HVPE를 이용한 후막 GaN 성장에 미치는 GaN 완충층의 영향 ( The Effects of GaN Buffer Layer on The Growth of Thick GaN Using HVPE )

이정욱 ,  백호선 ,  유지범 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

HVPE를 이용한 후막 GaN 성장에 미치는 GaN 완충층의 영향 ( The Effects of GaN Buffer Layer on the Growth of Thick GaN Using HVPE )

이정욱 ,  백호선 ,  유지범 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

HVPE를 이용한 GaN 완충층이 후막 GaN 성장에 미치는 영향

이정욱 ,  유지범 ,  금동화

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

ZnO 기판 위에 Hydride Vapor-Phase Epitaxy법에 의한 GaN의 성장

조성룡 ,  김선태

한국재료학회지

2002 .01

이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성

강민구 ,  진정근 ,  이재석 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

Time Evolution of a High-temperature GaN EpilayerGrown on a Low-temperature GaN Buffer Layerusing a Low-pressure MOCVD

조성일 ,  권명석 ,  장경화

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2006 .01