지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국마린엔지니어링학회 Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET) Journal of the Korean Society of Marine Engineering Vol.32 No.3
- 발행연도
- 2008.5
- 수록면
- 461 - 467 (7page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
It was studied the effect of a pre deposited ultrathin Al layer as part of a buffer layer for the growth of GaN. AlN buffer layers were deposited on a Si(111) substrate using an RF sputtering technique, followed by GaN using hydride vapor phase epitaxy (HVPE). Several atomic layers of Al were deposited prior to AlN sputtering and the samples were compared with the others grown without pre deposition of Al. And it was also studied the influence of AlN buffer layer thickness on the growth of GaN. The peak wavelength of the photoluminescence (PL) was varied with increasing the thickness of the GaN and AlN layers. The optimum thickness of AlN on a Si(111) substrate with an ultrathin Al layer was about 260A. Scanning electron microscope (SEM) images showed coalescent surface morphology and X ray diffraction (XRD) showed a strongly oriented GaN(0002) peak.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental procedure
3. Results and discussion
4. Conclusions
References
Author Profile
참고문헌 (22)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - K. H. Lee / 2006 / / Appl. Phys. Lett 89 : 023103 ~
2. [학술지(정기간행물)] - L.Liu / 2002 / / Materials Science and Engineering 37 (61)
3. [학술지(정기간행물)] - N. C. Chen / 2004 / / phys. stat. sol.(b) 241 (2698)
4. [학술지(정기간행물)] - H. Ishikawa / 1999 / / Jpn. J. Appl. Phys 38 : L492 ~
5. [학술지(정기간행물)] - K. H. Kim / 2003 / / J. Korean Phys. Soc 42 : S219 ~
2. [학술지(정기간행물)] - L.Liu / 2002 / / Materials Science and Engineering 37 (61)
3. [학술지(정기간행물)] - N. C. Chen / 2004 / / phys. stat. sol.(b) 241 (2698)
4. [학술지(정기간행물)] - H. Ishikawa / 1999 / / Jpn. J. Appl. Phys 38 : L492 ~
5. [학술지(정기간행물)] - K. H. Kim / 2003 / / J. Korean Phys. Soc 42 : S219 ~
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Growth Characteristics of GaN on Si(111) using AlN buffer layer
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
-
AlN 완충층을 이용하여 Si 기판 위에 성장시킨 후막 GaN의 특성
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
R. F. Sputter법으로 성장된 AlN 완충층이 GaN 박막결함에 미치는 영향
전기전자재료학회논문지
2004 .01
-
Surface Analysis of Plasma Pretreated Sapphire Substrate for Aluminum Nitride Buffer Layer
한국재료학회지
2017 .01
-
Si(111) 위에 Ion beam 처리 후 AlN layer를 완충층으로 이용하여 성장시킨 GaN의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
HVPE법으로 AlN/Si 위에 성장한 GaN의 특성
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구
한국재료학회지
1999 .01
-
이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
AlN/PSS Template 위에 HVPE로 성장한 GaN 막의 특성
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AIN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적,광학적 특성
한국재료학회지
2002 .01
-
기판의 종류에 따른 SAW 필터용 AlN 박막의 특성
센서학회지
2007 .01
-
나노구조를 응용한 AlN 성장 방법 및 특성
전기전자재료학회논문지
2015 .01
-
The Growth of GaN on a Si Substrate using AIN Buffer Layer
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
-
GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향
한국재료학회지
2001 .01
-
HVPE를 이용한 후막 GaN 성장에 미치는 GaN 완충층의 영향 ( The Effects of GaN Buffer Layer on the Growth of Thick GaN Using HVPE )
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
HVPE를 이용한 후막 GaN 성장에 미치는 GaN 완충층의 영향 ( The Effects of GaN Buffer Layer on The Growth of Thick GaN Using HVPE )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1998 .01
-
HVPE를 이용한 GaN 완충층이 후막 GaN 성장에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
Interfacial Properties of Atomic Layer Deposited Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/AlN Bilayer on GaN
한국재료학회지
2018 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-559-014765749