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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.2
- 수록면
- 409 - 413 (5page)
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실리콘 기판에 GaN 에피성장을 확인하기 위해, P형 Si(100) 기판 전면에 버퍼층으로 10 ㎚ 두께의 코발트실 리사이드를 형성시켰다. 형성된 코발트실리사이드 층을 HF로 크리닝하고, PA-MBE (plasma assisted-molecular beam epitaxy)를 써서 저온에서 500 ㎚의 GaN를 성막하였다. 완성된 GaN은 광학현미경, 주사탐침현미경, TEM, HR-XRD를 활용하여 특성을 확인하였다. HF 크리닝을 하지 않은 경우에는 GaN 에피택시 성장이 진행되지 않았다. HF 크리닝을 실시한 경우에는 실리사이드 표면의 국부적인 에칭에 의해 GaN성장이 유리하여 모두 GaN 4 ㎛ 정도의 두께를 가진 에피택시 성장이 진행되었다. XRD로 GaN의 <0002> 방향의 결정성 (crsytallinity)을 ω-scan으로 판단한 결과 Si(100) 기판의 경우 2.7도를 보여 기존의 사파이어 기판 정도로 우수할 가능성이 있었다. 나노급 코발트실리사이드를 버퍼로 채용하여 GaN의 에피성장이 가능할 수 있었다.
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1. [학술지(정기간행물)] - F. Dwikusuma / 2003 / Nucleation and initial growth kinetics on GaN on sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy / J. Cryst. Growth 258 (65)
2. [학술지(정기간행물)] - J. X, Zhang / 2005 / Structural and optical characterization of GaN epilayers grown on Si(111) substrates by hydrid vapor- phase epitaxy / J. Cryst. Growth 282 : 137 ~
3. [학술지(정기간행물)] - M. H. Oliver / 2008 / Organometallic vapor phase epitaxial growth of GaN on ZrN/ AlN/Si substrates / Appl. Phys. Lett 93
4. [학술지(정기간행물)] - M. A. Moram / 2008 / Growth of epitaxial thin films of scandium nitride on 100-oriented silicon / J. Cryst. Growth 310
5. [학술지(정기간행물)] - Engin Arslan / 2009 / The effect of SixNy interlayer on the quality of GaN epitaxial layers grown on Si(111) substrates by MOCVD / Current Applied Physics 9 (3) : 472 ~ 477
2. [학술지(정기간행물)] - J. X, Zhang / 2005 / Structural and optical characterization of GaN epilayers grown on Si(111) substrates by hydrid vapor- phase epitaxy / J. Cryst. Growth 282 : 137 ~
3. [학술지(정기간행물)] - M. H. Oliver / 2008 / Organometallic vapor phase epitaxial growth of GaN on ZrN/ AlN/Si substrates / Appl. Phys. Lett 93
4. [학술지(정기간행물)] - M. A. Moram / 2008 / Growth of epitaxial thin films of scandium nitride on 100-oriented silicon / J. Cryst. Growth 310
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