SiGe pMOSFETs 의 저온 초고주파 특성 연구

정의영 ,  이경택 ,  박민상 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

SiGe pMOSFETs 의 저온 초고주파 특성 연구

정의영 ,  이경택 ,  박민상 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Analysis of electrical characteristics for p-type silicon germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistors

Suk-woong Ko ,  Hak-kee Jung

한국정보통신학회논문지

2006 .02

A Study on Carrier Injection Velocity in sub-100nm SiGe Channel pMOSFETs Using RF C-V Measurement

Kyong Taek Lee ,  Min Sang Pa ,  k 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

A Study on Carrier Injection Velocity in sub-100㎚ SiGe Channel pMOSFETs Using RF C-V Measurement

Kyong Taek Lee ,  Min Sang Pa ,  k 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )

홍성희 ,  이용수

한국통신학회논문지

1998 .11

Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교

최상식 ,  최아람 ,  김재연 외 5명

전기전자재료학회논문지

2007 .01

SiGe 에피막의 열 산화 ( Thermal Oxidation of SiGe )

안창근 ,  강희성 ,  정욱진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )

정우표 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET

이영택 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .09

Selective Etching of SiGe on SiGe/Si Heterostructures

Gee Keun Chang

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1990 .01

DC and RF Characteristics of Si_0.8Ge_0.2 pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise

Young-Joo Song ,  Kyu-Hwan Shim ,  Jin-Young Kang 외 1명

[ETRI] ETRI Journal

2003 .06

Gd-pMOSFET 열중성자 측정기 구현 및 감도개선

이남호 ,  김승호

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .10

Study on the Growth of SiGe film on Si Substrate using Solid Phase epitaxy

Yun ,  Sun-Jin ,  Kim 외 9명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

δ 도핑된 Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFET 소자 특성 조사 ( Characterization of δ- Doped Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFETs )

오순영 ,  남형진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

SiGe를 사용한 주파수 혼합기 설계

강민석 ,  이귀연

대한전자공학회 학술대회

2004 .12

0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )

허연철 ,  이우형 ,  박병국 외 2명

전자공학회논문지-A

1994 .11

SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01