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Dry Etching characteristics of GaN Using Reactive Ion Beam
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구
한국재료학회지
2004 .01
RIB 처리된 사파이어 기판을 이용하여 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
2000 .01
Growth of GaN on ( 0001 ) Sapphire Substrates by Remote Plasma-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Mg-Doped GaN/Sapphire 구조로 제작된 압전 박막 SAW 필터의 특성분석
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Crystal Growth and Properties of GaN Layers on Sapphire Substrate
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Plasma-assisted MBE 를 이용한 GaN/sapphire 단일층의 성장과 분석
한국통신학회 기타 간행물
2009 .12
Si(111) 위에 Ion beam 처리 후 AlN layer를 완충층으로 이용하여 성장시킨 GaN의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
이온빔을 이용한 STS304와 알루미나 브레이징 접합효과
한국산학기술학회 논문지
2015 .12
InGaN/GaN Single Quantum Well의 광학적 특성 및 전기적 특성의 변화에 미치는 ion beam 조사의 영향
한국재료학회 학술발표대회
2007 .01
Surface Characteristics and Ion Release Behavior of Mg Ion Coated Dental Implant Formed by Ion Beam Assisted Deposition
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .11
BCl3를 이용한 GaN계 질화합물 반도체의 RIE에 관한 연구 ( Studies on Reactive Ion Etching of GaN using BCI3 )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
The Growth of GaN Depending on Initial Layers of Sapphire Substrate by Hot Wall Epitaxy
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
Growth and Characteristics of Near-UV LED Structures on Wet-etched Patterned Sapphire Substrate
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2006 .09
GaN 증착용 사파이어 웨이퍼의 표면가공에 따른 압흔 특성
대한기계학회 논문집 A권
2005 .04
Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
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