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이 논문의 연구 히스토리 (10)
1998
HVPE를 이용한 후막 GaN 성장에 미치는 GaN 완충층의 영향 ( The Effects of GaN Buffer Layer on the Growth of Thick GaN Using HVPE )
이정욱
,
백호선
,
유지범
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1998.01
학술대회자료
HVPE를 이용한 후막 GaN 성장에 미치는 GaN 완충층의 영향 ( The Effects of GaN Buffer Layer on The Growth of Thick GaN Using HVPE )
이정욱
,
백호선
,
유지범
외 1명
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1998.01
학술대회자료
1997
Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 Sapphire기판 상에 GaN후막의 성장특성에 관한 연구
이정욱
,
유지범
,
변동진
외 1명
한국재료학회지
1997.01
학술저널
HVPE를 이용한 GaN 완충층이 후막 GaN 성장에 미치는 영향
이정욱
,
유지범
,
금동화
한국재료학회 학술발표대회
1997.01
학술대회자료
GaCl₃를 사용한 수직형 Hydride Vapor Phase Epitaxy법에 의한 후막 GaN의 성장특성 연구 ( Growth of Thick GaN Using Vertical Hydride Vapor Phase Epitaxy with GaCl3 )
이정욱
,
진경환
,
백호선
외 2명
대한전자공학회 학술대회
1997.01
학술대회자료
청색발광소자 개발을 위한 Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 GaN의 성장특성 연구 ( Study on the Growth Characteristics of Thick GaN using Hydride Vapor Phase Epitaxy for the Development of Blue Emitting Diode )
이정욱
,
진경환
,
백호선
외 4명
한국통신학회 공개발표회 및 토론회
1997.01
학술대회자료
GaCI3 를 사용한 수직형 Hydride Vapor Phase Epitaxy법에 의한 후막 GaN의 성장특성 연구 ( Growth of Thick GaN Using Vertical Hydride Vapor Phase Epitaxy with GaCI3 )
이정욱
,
진경환
,
백호선
외 2명
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1997.01
학술대회자료
1996
ZnO 완충층을 이용한 후막 GaN의 성장 및 특성 연구
이정욱
,
유지범
,
변동진
외 1명
한국재료학회 학술발표대회
1996.01
학술대회자료
HVPE를 이용한 사파이어 기판 위에 GaN의 성장연구 ( Study of Thick GaN Film On Sapphire Using HVPE System )
이정욱
,
유지범
,
변동진
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1996.01
학술대회자료
HVPE를 이용한 사파이어 기판 위에 GaN의 성장연구 ( Study of Thick GaN Film On Sapphire Using HVPE System )
이정욱
,
유지범
,
변동진
외 1명
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1996.01
학술대회자료
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HVPE를 이용하여 sapphire기판 위에서 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도가 100$0^{\circ}C$에서 110$0^{\circ}C$로 증가하여도 성장속도는 영향을 받지않고 50-60$\mu\textrm{m}$/hr의 성장속도를 나타내었으나 표면특성과 결정성은 향상되었다. 110$0^{\circ}C$에서 성장된 후막 GaN는 DCXRD측정결과 451arcsec의 반티폭을 나타내었으며, PL측정결과 10K에서 19meV의 반치폭을 나타내었다. Ga 공급원의 온도가 93$0^{\circ}C$에서 77$0^{\circ}C$로 감소하여도 성장속도는 영향을 받지 않았으나, 77$0^{\circ}C$의 온도에서 GaN의 결정성이 향상되었다. HCI의 양이 5sccm에서 20sccm으로 증가함에 따라 성장속도가 15$\mu\textrm{m}$/hr에서 60$\mu\textrm{m}$/hr으로 증가하였으며, 표면특성도 향상되었다.
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2000 .03
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청색발광소자 개발을 위한 Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 GaN의 성장특성 연구 ( Study on the Growth Characteristics of Thick GaN using Hydride Vapor Phase Epitaxy for the Development of Blue Emitting Diode )
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1997 .01
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청색발광소자 개발을 위한 Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 GaN의 성장특성 연구 ( Study on the Growth Characteristics of Thick GaN Using Hydride Vapor Phase Epitaxy for the Development of Blue Emitting Diode )
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2002 .01
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