0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT 의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of 0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT )

김광석 ,  송용두 ,  강순종 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

0.35μm T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구 ( Fabrication and Characterization of 0.35μm T-shaped Power Pseudomorphic HEMTs )

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.15um Gate Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성

김광석 ,  김상호 ,  윤정아 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1991 .01

Wide Head T-Gate를 갖는 InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자의 초 저잡음 특성 ( Super Low Noise Characteristics of In GaAs Pseudomorphic HEMTs with Wide Head T-Gate )

윤형섭 ,  이진희 ,  최상수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

절연 게이트 역 이중 채널 전력용 Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성 연구

배병숙 ,  서영석 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

차단 주파수가 138㎓인 0.35㎛ InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

HEMT의 2차원 수치 해석 ( Two Dimensional Numerical Analysis of HEMT ` s )

김형래 ,  박장우 ,  김한구 외 2명

전자공학회논문지

1989 .11

A SIMPLE MODEL for I-V CHARACTERISTICS of HEMTs

Kwang Mean Pa ,  k ,  Kae Dal Kwack

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1988 .01

차단 주파수가 138GHz인 0.35μm InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성 ( 0.35μm Gate InP Pseudomorphic HEMT with Cutoff Frequency of 138 GHz )

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

짧은 게이트 길이를 갖는 Hemt의 해석적 모델

김성진 ,  김희종 ,  우덕하 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Fabrication of 0.2μm T-Gate Low Noise Noise Pseudomorphic HEMT by Using Double E-Beam Exposure Technique

백승원 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

0.35㎛ T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

약하게 핀치오프된 Cold-HEMT를 이용한 새로운 HEMT 소신호 모델링 기법

전만영

한국정보통신학회논문지

2003 .08

X - 밴드 저잡음 증폭기용 0.25 ㎛ T - 형 게이트 P - HEMT 제작

이강승 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

계단형 게이트 구조를 이용한 AlGN/GaN HEMT의 전류-전압특성 분석

김동호 ,  정강민 ,  김태근

전자공학회논문지-SD

2010 .06

개선된 T - gate 기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs / InGaAs / GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성 ( A Super Low Noise Characteristics of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs Fabricated by the Improved T - Gate )

이진희 ,  윤형섭 ,  최상수 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .03