0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT 의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of 0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT )

김광석 ,  송용두 ,  강순종 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

0.35㎛ T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.15um Gate Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성

김광석 ,  김상호 ,  윤정아 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

게이트 폭의 변화에 따른 P-HEMT의 특성연구 ( Characteristics of Pseudomorphic HEMTs with Various Gate Widths )

강순종 ,  이준서 ,  하정혁 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1993 .10

차단 주파수가 138㎓인 0.35㎛ InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Wide Head T-Gate를 갖는 InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자의 초 저잡음 특성 ( Super Low Noise Characteristics of In GaAs Pseudomorphic HEMTs with Wide Head T-Gate )

윤형섭 ,  이진희 ,  최상수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

차단 주파수가 138GHz인 0.35μm InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성 ( 0.35μm Gate InP Pseudomorphic HEMT with Cutoff Frequency of 138 GHz )

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

절연 게이트 역 이중 채널 전력용 Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성 연구

배병숙 ,  서영석 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Fabrication of 0.2μm T-Gate Low Noise Noise Pseudomorphic HEMT by Using Double E-Beam Exposure Technique

백승원 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Fabrication of GaAs Pseudomorphic HEMTs with Extremely Low Noise Figure of 0.26 Db at 12 GHz

Jin Hee Lee ,  Hyung Sup Yoon ,  Sang Soo Choi 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

개선된 T - gate 기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs / InGaAs / GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성 ( A Super Low Noise Characteristics of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs Fabricated by the Improved T - Gate )

이진희 ,  윤형섭 ,  최상수 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .03

15GHz Dielectric Resonator Oscillator using 0.13um T-Gate GaAs Pseudomorphic HEMT

Chung Soo Han ,  Keun Kwan Ryu ,  Chan Joo Lee 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Wide Head T-Gate를 갖는 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자를 사용한 10Gbps 초고속 전치증폭기 설계 ( Design of 10Gps High speed Preamplifier Using AlGAAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT Device with Wide Head T-Gate )

양광진 ,  백정기 ,  홍창희 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

InAlAs/InGaAs/InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구

윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Noise Characteristics of Sub-Micron Gate GaAs MESFET's and AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's and the Influence of the Gate Leakage Current on Their Performance

S. J. Cho ,  S. K. Oh ,  J. H. Jung 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1991 .01

mm파 AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PM-HEMT 제작 연구

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01