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재산화된 질화산화막의 전하포획 특성 ( The Charge Trapping Properties of ONO Dielectric Films )
전자공학회논문지-A
1992 .08
ONO 유전박막 캐패시터의 전하포획 및 전기적 특성 분석 ( An Analysis of Charge Trapping and Electrical Characteristics of ONO Dielectric Film Capacitors )
대한전자공학회 학술대회
1992 .07
ONO 유전박막 캐패시터의 전하포획 및 전기적 특성 分析
대한전자공학회 학술대회
1992 .06
ONO ( Oxide-Nitride-Oxide ) 막의 EEPROM 적용 가능성에 관한 연구 ( A Study on the Application of ONO ( Oxide-Nitride-Oxide ) Film to EEPROM as Interpoly Dielectrics )
대한전자공학회 학술대회
1988 .01
재산화 질화 산화막의 전하 생성과 항복에 대한 시간 의존성
한국정보통신학회논문지
1998 .09
도핑한 산화막 및 질화막의 확산특성 ( Diffusion Characterization of Doped Oxide and Nitride Film )
전자공학회지
1985 .03
열처리 전후의 질화막에 대한 습식산화의 효과
한국재료학회지
1993 .01
Retention Model of NAND-type Nitride-Based Charge Trapping Flash Memory
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
2008 .06
기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 I-V 특성 ( I-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 C-V 특성 ( C-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
ONO Ruptures Caused by ONO Implantation in a SONOS Non-Volatile Memory Device
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2011 .01
Wet 게이트 산화막과 Nitride 산화막 소자의 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1999 .06
Oxide-Nitride-Oxide막을 게이트 절연막으로 사용하여 제조한 다결정실리콘 박막트랜지스터의 특성
전기전자재료학회논문지
2003 .01
비휘발성 ONO 소자의 공간전하분포에 대한 연구
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics )
전자공학회논문지-A
1991 .09
산화막과 질화막 위에 제작된 3D SONOS 다층 구조 플래시 메모리소자의 1/f 잡음 특성 분석
전기전자재료학회논문지
2012 .01
$N_2O$ 분위기에서 열산화법으로 성장시킨 $SiO_2$초박막의 전기적 특성
한국재료학회지
1994 .01
산화막의 질화조건에 따른 트랩 파라미터에 관한 연구
한국전자통신학회 논문지
2016 .01
전하보유모델에 기초한 SONOS 플래시 메모리의 전하 저장층 두께에 따른 트랩 분석
반도체디스플레이기술학회지
2019 .01
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