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이용수
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작
Ⅲ. 실험 및 결과 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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재산화된 질화 산화막의 전하 포획 특성 연구 ( A Study on the Charge Trapping Properties of ONO ( Oxide Nitride Oxide ) Dielectric Film )
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1991 .11
재산화된 질화산화막의 전하포획 특성 ( The Charge Trapping Properties of ONO Dielectric Films )
전자공학회논문지-A
1992 .08
도핑한 산화막 및 질화막의 확산특성 ( Diffusion Characterization of Doped Oxide and Nitride Film )
전자공학회지
1985 .03
기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 I-V 특성 ( I-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )
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1990 .01
기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 C-V 특성 ( C-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
질화처리의 기초와 질화계처리
열처리공학회지
2008 .01
얇은 열산화-질화막의 특성평가 ( Evaluation of Characteristics of Oxidized Thin LPCVD-Si3N4 Film )
전자공학회논문지-A
1992 .09
플라즈마 이온질화 공정온도에 따른 스테인리스강 질화층의 표면 특성
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2012 .11
Wet 게이트 산화막과 Nitride 산화막 소자의 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1999 .06
Field Plate 구조의 표면 포텐셜과 항복전압의 결정 및 계면전하의 영향
전기학회논문지
1996 .01
정전류 스트레스 하에서 게이트 산화막의 항복 특성 예측 ( Prediction of Gate Oxide Breakdown under Constant Current Stresses )
전자공학회논문지-A
1996 .07
열처리 전후의 질화막에 대한 습식산화의 효과
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics )
전자공학회논문지-A
1991 .09
The Influence of Ion Implantation Damage on the Off-State Leakage Characteristics of n-MOSDETs with Ultrathin Oxide, Nitrided-Oxide and Re-Oxidized Nitrided-Oxide Gate Dielectrics
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1993 .01
AISI 304 스테인레스 강의 이온질화에 의한 질화층의 생성 상과 부식특성
한국표면공학회지
1998 .02
실리콘 산화막의 열적질화와 그 MOS특성에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1983 .01
포스트 플라즈마를 이용한 질화의 질화층 형성에 미치는 전처리의 영향에 대한 연구
열처리공학회지
2005 .01
Gate Oxide Thickness Dependence of Hot Carrier Degradation in n- and p-MOSFET's with NO-nitrided Gate Oxide under DC and AC Stresses
전기학회논문지
1998 .03
플라즈마 질화 기술과 그 응용분야에 대한 소개
대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집
2010 .11
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