기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 I-V 특성 ( I-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )

손문회 ,  양광선 ,  박훈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

질화와 재산화 조건에 따른 모스 소자의 전기적 특성 변화 ( Electrical properties variations of Nitrided , Reoxided MOS devices by Nitridation & Reoxidation Condition )

이정석 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

질화와 재산화 조건에 따른 모스 소자의 전기적 특성변화

이정석 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

질화 , 재산화된 MOS 소자의 시간종속 절연항복 특성 ( Time-Dependent Dielecric Breakdown of Nitreded , Reoxided MOS Devices )

이정석 ,  장창덕 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

비휘발성 기억소자용 PECVD질화막의 특성에 관한 연구

李相培 ,  李根赫 ,  徐光烈

전기학회논문지

1993 .12

Wet 게이트 산화막과 Nitride 산화막 소자의 특성에 관한 연구

이용희 ,  최영규 ,  류기한 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1999 .06

도핑한 산화막 및 질화막의 확산특성 ( Diffusion Characterization of Doped Oxide and Nitride Film )

이종덕 ,  김원찬 ,  민홍식 외 1명

전자공학회지

1985 .03

재산화된 질화 산화막의 전하 포획 특성 연구 ( A Study on the Charge Trapping Properties of ONO ( Oxide Nitride Oxide ) Dielectric Film )

이종순 ,  윤석범 ,  박광균 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

산화막과 질화막 위에 제작된 3D SONOS 다층 구조 플래시 메모리소자의 1/f 잡음 특성 분석

이상율 ,  이가원 ,  양승동 외 4명

전기전자재료학회논문지

2012 .01

재산화 질화 산화막의 전하 생성과 항복에 대한 시간 의존성

이정석 ,  이용재

한국정보통신학회논문지

1998 .09

플라즈마 질화 기술과 그 응용분야에 대한 소개

문경일 ,  변철웅

대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집

2010 .11

질화처리의 기초와 질화계처리

이준연

열처리공학회지

2008 .01

플라즈마 이온질화 공정온도에 따른 스테인리스강 질화층의 표면 특성

임경민 ,  김혜민 ,  이승효 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2012 .11

Technical trend of nitriding Process and Its main applications

문경일 ,  박현준 ,  신대영 외 1명

유공압건설기계학회 학술대회논문집

2012 .06

산화물 반도체 소자 응용에 대한 연구

강창수

대한전자공학회 학술대회

2014 .06

재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics )

양광선 ,  박훈수 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1991 .09

실리콘 산화막의 열적질화와 그 MOS특성에 미치는 영향

이정희 ,  이종현 ,  손병기

대한전자공학회 학술대회

1983 .01

열처리 전후의 질화막에 대한 습식산화의 효과

윤병문 ,  최덕균

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

포스트 플라즈마를 이용한 질화의 질화층 형성에 미치는 전처리의 영향에 대한 연구

문경일 ,  변상모 ,  조용기 외 2명

열처리공학회지

2005 .01