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Formation of Shallow p+-n Junction by B+ Implantation through As+-preamorphized Si
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
저에너지 이온 주입 방법으로 형성된 박막 p+-n접합의 열처리 조건에 따른 특성
전자공학회논문지-SD
2004 .05
낮은 에너지의 As₂^(+) 이온 주입을 이용한 얕은 n^(+)-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 ( 70nm NMOSFET Fabrication with Ultra-shallow n+-p Junctions Using Low Energy As₂^(+) Implantations )
전자공학회논문지-SD
2001 .02
Electrical and Boron Diffusion Characteristics in the AS Preamorphized P+ Polysillicon Gate
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
6H-SiC P^(+)n 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 ( Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC p^(+)n Junction )
전자공학회논문지-SD
2001 .06
투과전자현미경을 이용한 $n^+$/p 접합에서 불순물의 이차원적 분포에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
이온주입 및 열처리 조건에 따른 박막접합의 특성 비교 ( Comparison of Shallow Junction Properties depending on Ion Implantation and Annealing Conditions )
전자공학회논문지-D
1998 .07
선비정절화를 이용한 Shallow p+-n 접합 형성에 관한 연구 ( A Study on the Formation of Shallow p+-n Junctions Using Preamorphization )
전자공학회논문지-A
1991 .09
FORMATION OF ULTRA SHALLOW JUNCTION USING ADDITIONAL RAPID THERMAL ANNEALING ( RTA ) PROCESS
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1995 .01
Electrical Characteristics of Titanium Silicided Shallow Junction
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
SHALLOW JUNCTION DIODE FORMATION USING EPITAXIAL $CoSi_2$ AS A DIFFUSION SOURCE
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
붕소 이온주입에 의한 p+n 접합 다이오드에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2000 .11
I-V and C-V Measurements of Fabricated P +/N junction Diode in Antimony doped (111) Silicon
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2002 .01
Shallow P n Junction Formation by the Epi-Co Silicide Formed using Co / Ti Bilayer
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Characterization of Reverse Leakage Current of Shallow Silicide Junction
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
비소로 선무정질화된 p+ 다결정 규소박막의 물성 ( Characteristics of As Preamorphized p+-Polycrystalline Silicon Film )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
Electromagnetic properties of Co/Si/Co tunneling junction
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Shallow S/D Junction에 적용 가능한 NiSi를 형성하기 위한 Ni-Pd 합금의 특성 연구
대한전자공학회 학술대회
2005 .11
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