Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P⁺-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적특성

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .06

Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 p+ - n 극저접합의 형성 ( Formation of p+ - n Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact )

장지근 ,  엄우용 ,  신철상 외 1명

전자공학회논문지-D

1998 .05

Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+ -N 극저접합의 형성 ( Formation of P-N Ultra Shallow Junction with The Co / Ti Bilayer Silicide Contact )

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Formation and Charaterization of Co-silicides from Co and Co / Ti Bilayer

엄우용 ,  장호정 ,  장지근 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Electrical Characteristics of Titanium Silicided Shallow Junction

박지수 ,  손동균 ,  변정수 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P＋－N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적 특성 ( Fabrication and Electrical Characteristics P＋－N Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact )

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .07

Characterization of Reverse Leakage Current of Shallow Silicide Junction

Hi Deok Lee ,  이상기 ,  Ha Joong Kim 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

고농도 도핑된 Si 기판상에 Co/Ti 이중막 실리사이드 형성과 특성 연구

엄우용

전자공학회논문지-IE

2003 .12

고속열확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리사이드화 된 n+ -P 다이오드 특성분석 ( The formation of the Shallow Junction by Rapid Thermal Diffusion and characteristic Analysis for n+ -p Diode with Ti-silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti - 실리사이드화된 n - p 다이오드 특성 분석 ( The Formation of the Shallow Junction by RTD Characteristic Analysis for n - p Diode with Ti - silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .08

Co 및 Co/Ti 이중막에 의해 형성된 Co-실리사이드의 열적 불안정성 ( Thermal Instability of Co-silicides formed by Co and Co/Ti Bilayer )

장지근 ,  엄우용 ,  신철상 외 1명

전자공학회논문지-A

1996 .11

Composite Target으로 증착된 Ti-Silicide의 형성 ( The Formation of Ti-Silicide Deposited With Composite Target )

강성건 ,  송영식 ,  황유상 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

Ti-실리사이드 형성에 관한 연구 ( A Study on the Ti-Silicide Formation )

김학균 ,  주승기

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

에피 코발트 실리사이드막으로 부터의 붕소 확산을 이용한 극저층 p+n 접합 형성 ( Ultra Shallow p+n Junction Formation Using the Boron Diffusion from Epi-Co Silicide )

변성자 ,  권상직 ,  김기범 외 1명

전자공학회논문지-A

1996 .07

Ti-실리사이트 형성에 관한 연구

김학균 ,  주승기

대한전기학회 학술대회 논문집

1987 .07

Co/Ti 이중막 실리사이드를 이용한 $p^{+}$-n극저접합 다이오드의 제작과 전기적 특성

장지근 ,  엄우용 ,  장호정

한국재료학회지

1998 .01

Al-1%Si 과 Ti-Silicide의 반응성에 관한 연구 ( A Study on the Reaction of Al-1%Si with Ti-Silicide )

송영식 ,  백수현 ,  황유상 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1992 .01

I2L의 n-epi 두께에 따른 접합용량에 관한 연구 ( A Study on Junction Capacitance Of I2L According To N-Epi Layer )

이선희 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

급속열처리에 의한 Ti-실리사이드와 접합의 동시형성에 관한 연구 ( A Study on the Simultaneous Formation of a Ti-Silicide and a Junction by the RTA Process )

민경익 ,  주승기

전자공학회논문지-A

1991 .03

Poly-Si에 도핑공정변화에 따른 Ti-Silicides 형성반응에 관한 연구 ( The formation of Ti-Silicides with the change of doping process on the poly-Si )

류연수 ,  최진석 ,  백수현

대한전자공학회 학술대회

1988 .11