As 선비정질화를 이용한 P+-N 접합의 특성 고찰 ( A Study on the Chracteristics of Shallow p+-n Junctions formed by As Preamorphization )

한명석 ,  김생환 ,  이창진 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1991 .01

As 선비정질화를 이용한 P⁺-N 접합의 특성 고찰

한명석 ,  김생환 ,  이창진 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1991 .05

비소 비정질화 방법에 의한 얕은 p+-n Junction by As-Preamorphization Method and Its Characterization )

권상직

전자공학회논문지-A

1993 .11

Characteristics of buried-channel pMOS devices with shallow counter-doped layers fabricated using channel preamorphization

삼택아보

대한전자공학회 워크샵

1997 .01

동시 접합 공정에 의한 자기정렬 코발트 실리사이드 및 얇은 접합 형성에 관한 연구 ( A Study on the Self-Aligned Cobalt Silicidation and Formation of a Shallow Junction by Concurrent Junction Process )

이석운 ,  민경익 ,  주승기

전자공학회논문지-A

1992 .02

역전법을 응용한 실리사이드화된 매우 얇은 접합의 형성 ( Formation of Silicided Ultra-Shallow Junction employing Layer Reversal Method )

김종렬 ,  홍성윤 ,  윤명로 외 2명

전자공학회논문지-A

1996 .08

Electrical Characteristics of Titanium Silicided Shallow Junction

박지수 ,  손동균 ,  변정수 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

FORMATION OF ULTRA SHALLOW JUNCTION USING ADDITIONAL RAPID THERMAL ANNEALING ( RTA ) PROCESS

Kil Ho Lee ,  Sang Ho Yu

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1995 .01

Formation of Shallow p+ -n Junction by B+ Implantation Through As+ - Preamorphized Si

권상직 ,  이종덕

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Characterization of Reverse Leakage Current of Shallow Silicide Junction

Hi Deok Lee ,  이상기 ,  Ha Joong Kim 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

Shallow S/D Junction에 적용 가능한 NiSi를 형성하기 위한 Ni-Pd 합금의 특성 연구

이원재 ,  오순영 ,  아그츠바야르 투야 외 9명

대한전자공학회 학술대회

2005 .11

SHALLOW JUNCTION DIODE FORMATION USING EPITAXIAL $CoSi_2$ AS A DIFFUSION SOURCE

Bae ,  K. S. ,  Koo 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P⁺-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적특성

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .06

이온주입 및 열처리 조건에 따른 박막접합의 특성 비교 ( Comparison of Shallow Junction Properties depending on Ion Implantation and Annealing Conditions )

홍신남 ,  김재영

전자공학회논문지-D

1998 .07

Shallow P n Junction Formation by the Epi-Co Silicide Formed using Co / Ti Bilayer

변성자 ,  김기범 ,  권상직 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Shallow junction SBC 공정을 이용한 Prescaler의 설계 및 제작 ( Design and Fabrication of a Prescaler using Shallow Junction SBC Process )

정덕균 ,  최성현 ,  한익현 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

고속열확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리사이드화 된 n+ -P 다이오드 특성분석 ( The formation of the Shallow Junction by Rapid Thermal Diffusion and characteristic Analysis for n+ -p Diode with Ti-silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

BF2+가 이온 주입된 코발트로부터 확산하여 얻어진 매우 얇은 p+ / n 접합의 형성 ( Formation of Ultra-shallow p+ / n Junction by Diffusion from BF2+ Implanted Co Metal )

이석운 ,  민경익 ,  주승기

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti - 실리사이드화된 n - p 다이오드 특성 분석 ( The Formation of the Shallow Junction by RTD Characteristic Analysis for n - p Diode with Ti - silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .08

Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+ -N 극저접합의 형성 ( Formation of P-N Ultra Shallow Junction with The Co / Ti Bilayer Silicide Contact )

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11