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Formation of Shallow p+-n Junction by B+ Implantation through As+-preamorphized Si
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
Formation of Shallow p+ -n Junction by B+ Implantation Through As+ - Preamorphized Si
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
MEASUREMENT OF DIFFUSION PROFILE FOR BORON AND ARSENIC
대한전자공학회 학술대회
1980 .01
비소이온주입에 의해 선 무정형화된 실리콘 속으로 이온주입된 붕소원자의 농도분포
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
Fabrication of p-type FinFETs with a 20 nm Gate Length using Boron Solid Phase Diffusion Process
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2006 .03
In-Situ Boron Doped Polysilicon Gate를 적용한 Dual-Gate CMOS Device의 특성
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
원자로 기기 열수력 해석 코드에서 붕소 수송 방정식의 구현
한국전산유체공학회지
2013 .12
비소로 선무정질화된 p+ 다결정 규소박막의 물성 ( Characteristics of As Preamorphized p+-Polycrystalline Silicon Film )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
Boron Diffusion Behavior and Strain Relaxation in In Situ Boron-Dorped Si0.8 Ge0.2 Films During Rapid Thermal Annealing
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Characterization of Nickel-Boron Coatings Prepared from Different Organic Boron Complexes
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2008 .06
P⁺Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron 침투현상에 대한 모델링 및 최적화
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
P+ Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron침투현상에 대한 모델링 및 최적화 ( Modeling and optimization for boron penetration on p+ polysilicon gated PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
Boron강 주강품의 개발
한국주조공학회지 (주조)
1994 .01
BF2를 주입한 다결정 실리콘 게이트에서 유전 박막에 따른 Boron 침투에 대한 특성 분석 ( The Characteristics Analysis of Boron Penetration on BF2 Implanted gate with Dielectric Films )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
게이트 확산 시간에 따른 트라이액의 전기적 특성 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
전기도금법에 의해 생성된 Ni-B 합금도금층의 물성에 미치는 B 함량의 영향
한국표면공학회지
2004 .08
두께 변화에 따른 Gate Oxide의 전기적 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
활성탄 흡착에 의한 해수중의 보론 제거
상하수도학회지
2011 .01
Boron Clean Filter의 개발 현황
공기청정기술
1997 .01
Fluorine Effects on NMOS Characteristics and DRAM Refresh
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2012 .03
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