Characterization of Reverse Leakage Current of Shallow Silicide Junction

Hi Deok Lee ,  이상기 ,  Ha Joong Kim 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

Titanium과 Cobalt silicide의 연구

김상용 ,  유석빈 ,  서용진 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

1989 .07

Shallow P n Junction Formation by the Epi-Co Silicide Formed using Co / Ti Bilayer

변성자 ,  김기범 ,  권상직 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Si기판에 주입된 As이온이 Titanium-Silicides 형성에 미치는 영향 - 1 - ( Effects of As Ions Implanted in Si Substrates on the Titanium-Silicides Formation )

정주혁 ,  최진석 ,  백수현

전자공학회논문지

1989 .06

Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P⁺-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적특성

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .06

Composite Target으로 증착된 Ti-silicide의 현성에 관한 연구[II]

최진석 ,  백수현 ,  송영식 외 2명

한국재료학회지

1991 .01

역전법을 응용한 실리사이드화된 매우 얇은 접합의 형성 ( Formation of Silicided Ultra-Shallow Junction employing Layer Reversal Method )

김종렬 ,  홍성윤 ,  윤명로 외 2명

전자공학회논문지-A

1996 .08

니켈 코발트 합금조성에 따른 복합실리사이드의 물성 연구

김상엽 ,  송오성

한국재료학회지

2007 .01

Co/Ti 이중막 실리사이드를 이용한 $p^{+}$-n극저접합 다이오드의 제작과 전기적 특성

장지근 ,  엄우용 ,  장호정

한국재료학회지

1998 .01

Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P＋－N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적 특성 ( Fabrication and Electrical Characteristics P＋－N Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact )

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .07

6H-SiC P^(+)n 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 ( Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC p^(+)n Junction )

정용성

전자공학회논문지-SD

2001 .06

투과전자현미경을 이용한 $n^+$/p 접합에서 불순물의 이차원적 분포에 관한 연구

Pa ,  k ,  Chel-Jong 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

Poly-Si에 첨가한 도펀트가 Titanium Silicides 형성에 미치는 영향 2 ( Effects of Dopants Introduced into the Poly-Si on the Formation of Ti-Silicides )

유윤수 ,  최진석 ,  백수현

전자공학회논문지

1990 .02

Ta-Silicides 형성에 관한 연구 ( 1 ) ( On the formation of Ta-Silicides - 1 - )

양희준 ,  최진석 ,  조현춘 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

On the formation of Ta-silicides -2-

Hee-Jun Yang ,  Dong-Won Kim ,  Jin-Seog Choi 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Ta-Silicides 형성에 관한 연구 - 2 - ( On the Formation of Ta-Silicides - 2 - )

양희준 ,  김동원 ,  최진석 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

고속열확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리사이드화 된 n+ -P 다이오드 특성분석 ( The formation of the Shallow Junction by Rapid Thermal Diffusion and characteristic Analysis for n+ -p Diode with Ti-silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti - 실리사이드화된 n - p 다이오드 특성 분석 ( The Formation of the Shallow Junction by RTD Characteristic Analysis for n - p Diode with Ti - silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .08

Ti Self-Aligned Silicide를 이용한 Contact에서의 전기적 특성

李鐵眞 ,  許允宗 ,  成英權

전기학회논문지

1992 .02