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저자정보
Jeon-Hong Kang (Korea Research Institute of Standards and Science) Gao-Ying (National Institute of Metrology) Yuh-Chuan Cheng (Industrial Technology Research Institute) Chang-Soo Kim (Korea Research Institute of Standards and Science) Sang-Hwa Lee (Korea Research Institute of Standards and Science) Kwang-Min Yu (Korea Research Institute of Standards and Science)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.10 No.1
발행연도
2015.1
수록면
325 - 330 (6page)

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With approval from the Asia Pacific Metrology Program Working Group on Materials Metrology (APMP WGMM), an international comparison for sheet resistance standards for silicon wafers was firstly conducted among Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS) in Korea, CMS/ITRI in Taiwan, and NIM in China, which are national metrology institutes (NMIs), from August 2011 to January 2012. The sheet resistance values of the standards are 10 Ω, 100Ω, and 1000 Ω; the measurement was conducted in sequence at KRISS, CMS/ITRI, NIM, and KRISS again using the four-point probe method with single and dual configuration techniques. The reference value for the measurement results of the three NMIs was obtained through averaging the values of the three results for each sheet resistance range. The differences between the reference value and the measured values is within 0.22% for 10Ω, 0.17% for 100Ω, and 0.12% for 1000Ω. Therefore, the international consistency for conducting sheet resistance measurements is confirmed within 0.22% through the APMP WGMM approved comparison.
#Four-point probe method #Single & # dual configuration #Collinear four point probe #Sheet resistance #Silicon wafer #Uncertainty

목차

Abstract
1. Introduction
2. Four-Point Probe (FPP) Method
3. Traceability System of Participants
4. Stability, Temperature Coefficient and Light Effect of Sheet Resistance Standards
5. Measurement Results
6. Discussion
7. Conclusion
References

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
Arther Uhlir, JR / 1955 / The Potentials of Infinite Systems of Sources and Numerical Solutions of Problems in Semiconductor Engineering / Bell System Technical Journal 34(1):105~128 google schola L. B. Valdes / 1954 / Resistivity Measurements on Germanium for Transistors / Proceedings of the Institute of Radio Engineers 42:420~427 google schola F. M. SMITS / 1958 / Measurement of Sheet Resistivities with the Four-Point Probe / Proceedings of the Institute of Radio Engineers :711~718 google schola Standard Test Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafers with an In-Line Four-Point Probe / ASTM F84 google schola Lydon J. Swartzendruber / 1964 / Correction Factor Tables for Four-Point Probe Resistivity Measurements on Thin, Circular Semiconductor Samples google schola

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