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홍순천 (쎄미시스코) 윤석민 (쎄미시스코) 우봉주 (쎄미시스코) 박정재 (한국표준과학연구원) 진종한 (한국표준과학연구원)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Vol.34 No.5
발행연도
2017.5
수록면
311 - 314 (4page)

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To measure the depth of the through silicon vias on 300 mm silicon wafers, a measuring machine was developed. Based on the preceding research in a laboratory environment, the machine was designed and built by modifying the optical probe for reducing the mass, combining a visible optical microscope to monitor the location of the measuring points, and constructing the metrology frame for large silicon wafers. The depths of the three different-sized through silicon vias were measured repeatedly to estimate the repeatability. Moreover, comparative measurement was carried out to verify the measured depth values. The total measurement time was also estimated by measuring 110 through silicon vias at different locations. According to the measurement results, the measurement performance satisfied the technical requirements of the industry in terms of repeatability, accuracy, and measurement time.
#Silicon wafer (실리콘 웨이퍼) #Through silicon via (관통전극) #Depth measurement (깊이 측정)

목차

1. 서론
2. 분광형 간섭계 기본 이론
3. 실험 장치 및 실험 결과
4. 결론
ACKNOWLEDGEMENT
REFERENCES

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
Kuhne, S. and Hierold, C., “Wafer-Level Packaging and Direct Interconnection Technology Based on Hybrid Bonding and Through Silicon Vias,” Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol. 21, No. 8, Paper No. 085032, 2011. Shen, L.-C., Chien, C.-W., Cheng, H.-C., and Lin, C.-T., “Development of Three-Dimensional Chip Stacking Technology Using a Clamped Through-Silicon Via Interconnection,” Microelectronics Reliability, Vol. 50, No. 4, pp. 489-497, 2010. Esashi, M., “Wafer Level Packaging of MEMS,” Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol. 18, No. 7, Paper No. 073001, 2008. Van Olmen, J., Huyghebaert, C., Coenen, J., Van Aelst, J., Sleeckx, E., et al., “Integration Challenges of Copper Through Silicon Via (TSV) Metallization for 3D-Stacked IC Integration,” Microelectronic Engineering, Vol. 88, No. 5, pp. 745-748, 2011. Jin, J., Kim, J. W., Kang, C.-S., Kim, J.-A., and Lee, S., “Precision Depth Measurement of Through Silicon Vias (TSVS) on 3D Semiconductor Packaging Process,” Optics Express, Vol. 20, No. 5, pp. 5011-5016, 2012.

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