A Study on Carrier Injection Velocity in sub-100㎚ SiGe Channel pMOSFETs Using RF C-V Measurement

Kyong Taek Lee ,  Min Sang Pa ,  k 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

초고주파용 SiGe pMOSFET에 대한 전기적 특성 분석

정학기 ,  고석웅

한국정보통신학회논문지

2003 .06

SiGe pMOSFETs 의 저온 초고주파 특성 연구

정의영 ,  이경택 ,  박민상 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

SiGe pMOSFETs 의 저온 초고주파 특성 연구

정의영 ,  이경택 ,  박민상 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .08

양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화 ( PMOSFET Degradation due to Bidirectional Hot Carrier Stress )

김용탁 ,  김덕기 ,  유종근 외 3명

전자공학회논문지-A

1995 .06

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .09

Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET

이영택 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상

홍성택 ,  유종근 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )

홍성택 ,  유종근 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )

홍성희 ,  이용수

한국통신학회논문지

1998 .11

직류 및 교류스트레스 조건에서 발생된 Hot-Carrier가 PMOSFET의 누설전류에 미치는 영향 ( Hot-Carrier Induced GIDL Characteristics of PMOSFETs under DC and Dynamic Stress )

류동렬 ,  이상돈 ,  박종태 외 1명

전자공학회논문지-A

1993 .12

게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )

정우표 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

Analysis of electrical characteristics for p-type silicon germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistors

Suk-woong Ko ,  Hak-kee Jung

한국정보통신학회논문지

2006 .02

Fabrication of 0.1um Buried Channel and Surface Channel pMOSFETs

Tae Jong Yoo ,  Young Taek Lee ,  Dong Soo Woo 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Hot-Carrier 스트레스에 의하여 발생된 계면상태가 PMOSFET의 밴드간 터널링 전류에 미치는 영향 ( The Effect of Interface State ( Nit ) Generated by Hot-Carrier Stress on GIDL Current of PMOSFET )

김호 ,  유동열 ,  이상돈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )

허연철 ,  이우형 ,  박병국 외 2명

전자공학회논문지-A

1994 .11

Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교

최상식 ,  최아람 ,  김재연 외 5명

전기전자재료학회논문지

2007 .01

SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01