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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.2
- 수록면
- 303 - 307 (5page)
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목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DESIGN AND CONDITION
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION BASED ON THEORETICAL BACKGROUND
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
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[학술지(정기간행물)] - / 2000 / Effects of thin oxide in metal-semiconductor and metal-insulator- semiconductor epi-GaAs Schottky diodes 44
[학술지(정기간행물)] - / 2001 / Monitoring of carrier lifetime in GaAs substrate-epi-layer structures by space-resolved transient microwave absorption 460 : 2001 35 ~ 40
[학술지(정기간행물)] - / 1983 / Modeling of carrier mobility against carrier concentration in Arsenic- : 764 ~ 769
[학술지(정기간행물)] - / 1988 / A Physically Based Mobility Model for Numerical Simulation of Nonplanar Devices IEEE Trnas. On CAD 7 : 1164 ~ 1171
[학술지(정기간행물)] - / 2002 / Analysis of parasitic barriers due to p-n junction displacement 46 : 1473 ~ 1483
[학술지(정기간행물)] - / 2001 / Monitoring of carrier lifetime in GaAs substrate-epi-layer structures by space-resolved transient microwave absorption 460 : 2001 35 ~ 40
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