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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제5호
발행연도
2002.1
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The use of a thin film of indium between the ITO and the n+-InP contact layers for InP/InGaAs HPTs was studied without degrading its excellent optical transmittance properties. ITO/n+-InP ohmic contact was successfully achieved by the deposition of indium and thermal annealing. The specific contact resistance of about 6.6×10-4Ω㎠ was measured by use of the transmission line method (TLM). However, as the thermal annealing was just performed to ITO/n+-InP contact without the deposition of indium between ITO and n+-InP, it exhibited Schottky characteristics. In the applications, the DC characteristics of InP/InGaAs HPTs with ITO emitter contacts was compared with those of InP/InGaAs HBTs with the opaque emitter contacts.
#indium thin oxide #ITO) #transmission line model #TLM) #heterojunction phototransistor #HPT) #heterojunction bipolar transistor #HBT) #ohmic contact #schottky contact

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