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자료유형
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저자정보
Mayank Shrivastava (Indian Institute of Technology-Bombay) Harald Gossner (Infineon Technologies AG) Maryam Shojaei Baghini (Indian Institute of Technology-Bombay) V. Ramgopal Rao (Indian Institute of Technology-Bombay)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2010 Conference
발행연도
2010.11
수록면
268 - 271 (4page)

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This paper demonstrates a 3D TCAD based approach towards the evaluation and pre-silicon development of nanoscale devices for advanced ESD protection concepts. Impact of various physical models and parameters on the accuracy of predicted ESD figures of merit are discussed. Moreover, various devices options, have been evaluated from 3D TCAD simulations.
#ESD #It2 #space charge modulation #on-state spreading #thermal failure #moving filaments

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. 3D TCAD APPROCH AND SETUP REQUIREMENTS
Ⅲ. IMPORTANT MODELS AND SENSITIVE PARAMETERS
Ⅳ. TCAD INVESTIGATIONS: WHAT CAN BE DONE
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES

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