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저자정보
Mayank Shrivastava (Indian Institute of Technology-Bombay) Harald Gossner (Infineon Technologies AG) Maryam Shojaei Baghini (Indian Institute of Technology-Bombay) V. Ramgopal Rao (Indian Institute of Technology-Bombay)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2010 Conference
발행연도
2010.11
수록면
264 - 267 (4page)

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This paper presents ESD evaluation of various nanoscale drain extended MOS devices. Current and time evolution of current filaments formed under the ESD stress conditions are investigated. A complete picture of device"s behavior at the onset of space charge modulation
and the evolution of current filamentation is discussed based on Transient Interferometric mapping studies.
#Drain extended MOS #ESD #It2 #space charge modulation #TIM #base push out #current filament

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEMOS DEVICES AND TCAD SETUP
Ⅲ. TRANSIENT INTERFEROMETRIC MAPPING SIMULATIONS
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES

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