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저자정보
J.B. Kim (전자부품연구원) K.H. Baik (전자부품연구원) J.S. Son (전자부품연구원) S.-K. Hong (충남대학교) T.G. Kim (고려대학교) S.M. Hwang (전자부품연구원)
저널정보
대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2010
발행연도
2010.6
수록면
377 - 379 (3page)

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We investigated the electrical properties of Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts and the anisotropic conductivity of ntype a-plane (11-20) GaN grown on r-plane (1-102) sapphire substrates. The Ohmic contacts and sheet resistances were measured on several wafers using transfer length method (TLM) as a function of azimuthal angles. The best specific contact resistance of 4.34×10?? Ohmㆍ㎠ was achieved after annealing at 900℃. It was found that there was significant electrical anisotropy in a-p ... 전체 초록 보기

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental or Theory
Ⅲ. Discussions
Ⅳ. Conclusions
Acknowledgments
References

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