지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.8
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
본 논문에서는 무분극 GaN층에서 관찰되는 성장축의 방향성에 따른 전기적 비등방성에 대한 연구를 수행하였다. 본 연구를 위해 r-plane 사파이어 기판 상에 유기화학기상증착법 (Metal-organic chemical vapor deposition)을 이용하여 600 nm 두께의 a-plane n-type GaN층을 성장시킨 후, Ti/Al/Ni/Au (20 nm/ 150 nm/ 30 nm/ 100 nm) 오믹 전극을 증착하여 transfer length method (TLM)로 접촉저항을 측정하였다. 그 결과, a-plane GaN층이 갖는 축의 방향성에 의한 접촉저항이 차이는 없는 것을 확인하였고, 면저항 측정 시에는 m-축 방향에 비해 c-축 방향에서 발생하는 면저항 값이 약 25%～75% 정도 크게 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 전기적 특성의 비등방성은 c-축 성장방향에 대해 수직방향을 갖는 기저적층결함 (basal stacking faults)의 생성으로 인한 전자들의 거동 저하에 의한 것으로 사료된다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - F.Bernardini / 1997 / Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III-V nitrides / Phys.Rev.B 56 : 10024 ~ 10027
2. [학술지(정기간행물)] - C.Chen / 2003 / Ultraviolet Light Emitting Diodes Using Non-Polar a-Plane GaN-AlGaN Multiple Quantum Wells / Jpn.J.Appl.Phys 42 : 1039 ~ 1040
3. [학술지(정기간행물)] - D.Iida / 2009 / Activation energy of Mg in a-plane Ga1-xInxN (0
4. [학술지(정기간행물)] - S.Chevtchenko / 2006 / Surface band bending of a-plane GaN studied by scanning Kelvin probe microscopy / Appl.Phys.Lett. 88 : 122104 ~ 122107
5. [학술지(정기간행물)] - M.McLaurin / 2006 / Growth of p-type and n-type m-plane GaN by molecular beam epitaxy / J.Appl.Phys 100 : 63707 ~ 63714
2. [학술지(정기간행물)] - C.Chen / 2003 / Ultraviolet Light Emitting Diodes Using Non-Polar a-Plane GaN-AlGaN Multiple Quantum Wells / Jpn.J.Appl.Phys 42 : 1039 ~ 1040
3. [학술지(정기간행물)] - D.Iida / 2009 / Activation energy of Mg in a-plane Ga1-xInxN (0
5. [학술지(정기간행물)] - M.McLaurin / 2006 / Growth of p-type and n-type m-plane GaN by molecular beam epitaxy / J.Appl.Phys 100 : 63707 ~ 63714
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Anisotropic Conductivity of n-type a-plane GaN films grown on r-plane Sapphire Substrates
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
2010 .06
-
a-Plane GaN을 이용한 LEO 성장 및 특성
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
-
표면처리를 통한 n형 GaN용 오믹접촉 연구
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
-
GaN 오믹 접촉에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
Au/Ni/p-type GaN 오믹 접합의 미세구조 및 전기적 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
-
GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
-
Low Resistance Ohmic Contacts on n+ -GaN
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
-
Ohmic Contact to n-GaN
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
-
금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구
한국재료학회지
2000 .01
-
Low Resistance Contacts to p-Type GaN
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
-
Development of Ohmic Contact to GaN
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
기저 적층 결함이 무분극 a-plane GaN 및 InGaN/GaN 다중 양자우물 구조의 광학적 특성에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
-
Effect of Basal-plane Stacking Faults on X-ray Diffraction of Non-polar (1120) a-plane GaN Films Grown on (1102) r-plane Sapphire Substrates
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2014 .10
-
n-GaN/vanadium-based Ohmic 접촉 형성
한국재료학회지
2003 .01
-
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
DEVELOPMENT Al-FREE OHMIC CONTACT TO n-GaN
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
Carbonization Mask를 이용한 r-plane Sapphire 기판 상의 a-plane GaN의 ELOG성장 방법 연구
한국재료학회 학술발표대회
2011 .01
-
열처리에 따른 p-GaN의 오믹접촉 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2000 .06
-
n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 전기.광학적 특성
한국재료학회 학술발표대회
2011 .01
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
사파이어 기판위에 성장된 무분극(non-polar) GaN/InGaN 양자우물을 이용한 발광다이오드 제작
황성민
한국통신학회 기타 간행물
2009
.12
AlGaN/GaN MOSHFET의 스위칭 측정에 따른 다이나믹 온 저항 추출에 관한 연구
이정연
,
김송송
,
임수연
외 4명
대한전자공학회 학술대회
2014
.11
산화갈륨 희생층을 이용한 AlGaN/GaN-on-Si HFET의 특성 개선 연구
이재길
,
차호영
전자공학회논문지
2014
.02
GaN 소자의 AC특성 측정회로 연구
김희준
,
정경훈
대한전기학회 학술대회 논문집
2012
.11
스케일링이 가능한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 열 모델에 관한 연구
김동기
,
김성호
,
오재응
외 1명
한국전자파학회논문지
2003
.07
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-569-002806490