지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
초록· 키워드
오류제보하기
Epitaxial ($11{\bar{2}}0$) a-plane GaN films were grown on a ($1{\bar{1}}02$) R-plane sapphire substrate with photoresist (PR) masks using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The PR mask with striped patterns was prepared using an ex-situ lithography process, whereas carbonization and heat treatment of the PR mask were carried out using an in-situ MOCVD. The heat treatment of the PR mask was continuously conducted in ambient $H_2/NH_3$ mixture gas at $1140^{\circ}C$ after carbonization by the pyrolysis in ambient $H_2$ at $1100^{\circ}C$. As the time of the heat treatment progressed, the striped patterns of the carbonized PR mask shrank. The heat treatment of the carbonized PR mask facilitated epitaxial lateral overgrowth (ELO) of a-plane GaN films without carbon contamination on the R-plane sapphire substrate. Thhe surface morphology of a-plane GaN films was investigated by scanning electron microscopy and atomic force microscopy. The structural characteristics of a-plane GaN films on an R-plane sapphire substrate were evaluated by ${\omega}-2{\theta}$ high-resolution X-ray diffraction. The a-plane GaN films were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) to determine carbon contamination from carbonized PR masks in the GaN film bulk. After $Ar^+$ ion etching, XPS spectra indicated that carbon contamination exists only in the surface region. Finally, the heat treatment of carbonized PR masks was used to grow high-quality a-plane GaN films without carbon contamination. This approach showed the promising potential of the ELO process by using a PR mask.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (31)
참고문헌 신청
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Defect reduction in m-plane GaN on m-sapphire via lateral epitaxial overgrowth by hydride vapor phase epitaxy
Journal of Ceramic Processing Research
2016 .10
-
HVPE를 이용하여 r-plane 사파이어 위에 multi-step으로 성장시킨 a-plane GaN 에피층의 특성 연구
한국결정성장학회지
2016 .01
-
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
GAN의 성능 향상을 위한 온라인 GAN 지식 증류 기법
한국정보과학회 학술발표논문집
2022 .06
-
r면 사파이어 위에 HVPE로 성장된 a면 GaN 에피층의 성장온도 효과 및 1000oC 에서의 V/III족 비의 효과
한국결정성장학회지
2015 .01
-
GAN 기반 이미지 생성 모델 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2020 .07
-
GAN 경량화 연구에 대한 동향 조사
대한전자공학회 학술대회
2021 .11
-
Generation of Artificial Images/Videos of Natural Disaster Using GAN
제어로봇시스템학회 국내학술대회 논문집
2020 .07
-
COVID-19 감염병 확산에 따른 일회용 마스크의 적정 관리 방안 연구
한국폐기물자원순환학회지
2021 .08
-
Cascode-GaN과 p-GaN의 동작 특성 및 설계 요소 분석
전력전자학회 학술대회 논문집
2015 .11
-
GaN 소자 패키지의 방열효율 향상을 위한 해석적 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2016 .10
-
에피구조(GaN-on-Si and GaN-on-s.i.SiC)에 따른 GaN 전력반도체 MISHEMT 소자의 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
-
p-GaN/AlGaN/GaN E-mode FET 제작을 위한 선택적 GaN 식각 공정 개발
한국정보통신학회논문지
2020 .02
-
Plasma 공정에 의한 고출력 E-mode GaN 전력반도체 특성 연구
전자공학회논문지
2021 .03
-
Implementing a High Performance 5G User Plane Function
한국통신학회 학술대회논문집
2018 .01
-
Crystal characteristics of bulk GaN single crystal grown by HVPE method with the increase of thickness
Journal of Ceramic Processing Research
2017 .02
-
N-polar면의 선택적 에칭 방법을 통한 Free-standing GaN 기판의Bowing 제어
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
HVPE 법에서의 공정변수 조절에 의한 bulk GaN 단결정의 두께 최적화
한국결정성장학회지
2017 .01
-
고출력증폭기 온도측정결과를 활용한 GaN 소자의 온도 예측
대한기계학회 춘추학술대회
2018 .12
-
테스트 결과값 분석을 통한 부분적 X-Masking 방법
대한전자공학회 학술대회
2017 .06
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0