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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.6
- 수록면
- 175 - 178 (4page)
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We report on the effect of basal-plane stacking faults (BPSFs) on optical properties of nonpolar a-plane GaN and InGaN/GaN multi-quantum wells (MQWs). The BPSFs are shown as thin lines when transmission electron microscopy images are obtained under two-beam conditions with g=1-100. Temperature-dependent photoluminescence (TDPL) of the a-plane GaN template revealed the BPSFs-related emission peak of 3.43 eV, which was fitted well with Varshni"s formula indicating temperature-induced band-gap shrinkage. We also found that the low energy-side emission peak in the TDPL spectra of InGaN/GaN MQWs was due to localization of carriers in quantum wire-like regions where the BPSFs intersect the QWs.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 본론
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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