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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 708 - 712 (5page)
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Shallow p+-n junctions were formed by ion implantation and dual-step annealing processes. The dopant implantation was performed into the crystalline substrates using BF2 ions. The annealing was performed with a rapid thermal processor and a furnace. FA+RTA annealing sequence exhibited better junction characteristics than RTA+FA thermal cycle from the viewpoint of junction depth and sheet resistance. A new simulator is designed to model boron diffusion in silicon. The model which is used in this simulator takes into account nonequilibrium diffusion, reactions of point defects, and defect-dopant pairs considering their charge states, and the dopant inactivation by introducing a boron clustering reaction. Using initial conditions and boundary conditions, coupled diffusion equations are solved successfully. The simulator reproduced experimental data successfully.
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/ 1988. / A Kinetic Model for Anomalous Diffusion during Past-Implant Annealing : 636 ~
/ 1989. / Point defects and dopant diffusion in s 61 (2) : 289 ~
/ 1991. / A Model for Boron Short Time Diffusion after Ion Implantation : 701 ~
/ 1994. / Fabrication of submicron junctions -proximity rapid thermal diffusion of phosphorus, boron and arsenic 41 (12) : 2281 ~
/ 1997. / Effect of additional low temperature RTA on ultra-shallow p+-n junction formation : 634 ~
/ 1989. / Point defects and dopant diffusion in s 61 (2) : 289 ~
/ 1991. / A Model for Boron Short Time Diffusion after Ion Implantation : 701 ~
/ 1994. / Fabrication of submicron junctions -proximity rapid thermal diffusion of phosphorus, boron and arsenic 41 (12) : 2281 ~
/ 1997. / Effect of additional low temperature RTA on ultra-shallow p+-n junction formation : 634 ~
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