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자료유형
학술대회자료
저자정보
Han, Byung-Wook (Department of Materials Science and Engineering, KAIST) Rhee, Hwa-Sung (Department of Materials Science and Engineering, KAIST) Ahn, Byung-Tae (Department of Materials Science and Engineering, KAIST) Lee, Nam-Yang (Information Display Research Institute, Orion Electric Co.)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 학술대회 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
발행연도
2000.1
수록면
131 - 132 (2page)

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We prepared Si emitters coated with a MOCVD $CoSi_2$ layer to improve the emission properties. The $CoSi_2$ layer was grown on Si field emitters in situ by reactive chemical-vapor deposition of cyclopentadienyl dicarbonyl cobalt at 600 ${\sim}$ $650^{\circ}C$. The $CoSi_2$ coated field emitters showed enhanced emission properties of current-voltage characteristics, which were due to the increase of emitting area from Fowler-Nordheim plot. And the emission current fluctuation decreased due to the chemically stable surface properties of $CoSi_2$.

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