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자료유형
학술저널
저자정보
김광배 (서울시립대학교 신소재공학과) 노윤영 (서울시립대학교 신소재공학과) 송오성 (서울시립대학교 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제26권 제8호
발행연도
2016.1
수록면
401 - 405 (5page)

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The cobalt silicides were investigated for employment as a catalytic layer for a DSSC. Using an E-gun evaporation process, we prepared a sample of 100 nm-thick cobalt on a p-type Si (100) wafer. To form cobalt silicides, the samples were annealed at temperatures of $300^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, and $700^{\circ}C$ for 30 minutes in a vacuum. Four-point probe, XRD, FE-SEM, and CV analyses were used to determine the sheet resistance, phase, microstructure, and catalytic activity of the cobalt silicides. To confirm the corrosion stability, we also checked the microstructure change of the cobalt silicides after dipping into iodide electrolyte. Through the sheet resistance and XRD results, we determined that $Co_2Si$, CoSi, and $CoSi_2$ were formed successfully by annealing at $300^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, and $700^{\circ}C$, respectively. The microstructure analysis results showed that all the cobalt silicides were formed uniformly, and CoSi and $CoSi_2$ layers were very stable even after dipping in the iodide electrolyte. The CV result showed that CoSi and $CoSi_2$ exhibit catalytic activities 67 % and 54 % that of Pt. Our results for $Co_2Si$, CoSi, and $CoSi_2$ revealed that CoSi and $CoSi_2$ could be employed as catalyst for a DSSC.
#reduction catalyst #cobalt silicide #annealing #catalytic activity #cyclic voltammetry

목차

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B. O’Regan / 1991 / Nature 353:737 google schola C. Shim / 2011 / J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng 60:114 google schola Z. Li / 2009 / Electrochem. Commun 11:1768 google schola E. Olsen / 2000 / Sol. Energ. Mat. Sol. C 63:267 google schola X. Chen / 2014 / Angew. Chem. Int. Ed 53:10799 google schola

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