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저자정보
김두환 (충북대학교) 이상진 (충북대학교) 남기훈 (충북대학교) 김시호 (충북대학교) 조경록 (충북대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제59권 제6호
발행연도
2010.6
수록면
1,095 - 1,102 (8page)

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This paper presents an equalizer reducing CCI(cell-to-cell interference) in MLC NAND flash memory. High growth of the flash memory market has been driven by two combined technological efforts that are an aggressive scaling technique which doubles the memory density every year and the introduction of MLC(multi level cell) technology. Therefore, the CCI is a critical factor which affects occurring data errors in cells. We introduced an equation of CCI model and designed an equalizer reducing CCI based on the proposed equation. In the model, we have been considered the floating gate capacitance coupling effect, the direct field effect, and programming methods of the MLC NAND flash memory. Also we design and verify the proposed equalizer using Matlab. As the simulation result, the error correction ratio of the equalizer shows about 20% under 20nm NAND process where the memory channel model has serious CCI.
#MLC #NAND Flash #Memory #Interference #Equalizer

목차

Abstract
1. 서론
2. CCI 모델링 및 분석
3. 등화기 설계
3. 결론
감사의 글
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