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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
전명운 (서울대학교) 김경철 (서울대학교) 신범주 (하이닉스) 이정우 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第47卷 SD編 第12號
발행연도
2010.12
수록면
8 - 16 (9page)

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NAND Multi-level cell Flash memory는 한 셀에 여러 bit의 정보를 저장하는 방법으로, 용량 집적도를 더욱 높일수 있는 기술로 각광 받고 있다. 하지만 한 셀당 레벨 수를 올릴 경우, 셀간 간섭 등 여러 물리적 이유들로 인해 오류가 발생하며, 이주된 오류 방향은 unidirectional 함이 알려져 있다. 기존에는 오류 정정 부호(ECC)등을 이용하여 이를 해결하려 했지만, 우리는 셀간 간섭으로 인한 오류에 포커스를 맞추어, 이 영향을 예측하고 줄여서 오류를 보정하는 새로운 알고리즘들을 제안한다. 이 알고리즘은 기존 오류정정부호 기법들과 별도의 단계로 동시에 적용할 수 있기에 에러 정정능력 향상에 효과적이다. 제안된 알고리즘들을 시뮬레이션을 통하여 성능을 비교하고 효율적인 알고리즘이 무엇인지 알아본다.
#MLC #Flash memory #cell to cell interference #interference cancellation

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (12)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Roberto Bez / 2003 / Introduction to Flash Memory / IEEE Proc 91 (4) google schola 2. [학술지(정기간행물)] - P.Pavan / 1997 / Flash memory cells—An overview / IEEE Proc 85 : 1248 ~ 1271 google schola 3. [기타자료] - Calligaro C / 1996 / Technological and Design Constraints for Multilevel Flash Memories / ICECS ’96 : 1005 ~ 1008 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - B.Ricco / 1998 / Nonvolatile multilevel memories for digital applications / IEEE Proc 86 : 2399 ~ 2423 google schola 5. [학술대회논문] - A.Modelli / 2001 / Multi-level Flash memory technology / Int. Conf. Solid State Devices and Materials(SSDM), : 516 ~ 517 google schola

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