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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김진완 (숭실대학교) 김태환 (숭실대학교) 장훈 (숭실대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제51권 3호
발행연도
2014.3
수록면
61 - 71 (11page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2014

TLC NAND-형 플래시 메모리 내장 자체테스트
김진완 ,  장훈 전자공학회논문지 2014.12 학술저널
MLC NAND-형 Flash Memory 내장 자체 테스트에 대한 연구
김진완 ,  김태환 ,  장훈 전자공학회논문지 2014.03 학술저널
TLC NAND-형 플래시 메모리 내장 자체 테스트
김진완 컴퓨터학과(일원) 2014.01 학위논문

초록· 키워드

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임베디드 시스템의 저장매체 시장의 플래시 메모리의 점유율이 증가되고 반도체 산업이 성장함에 따라 플래시 메모리의 수요와 공급이 큰 폭으로 증가하고 있다. 특히 스마트폰, 테블릿 PC, SSD등 SoC(System on Chip)산업에 많이 사용되고 있다. 플래시 메모리는 셀 배열 구조에 따라 NOR-형과 NAND-형으로 나뉘고 NAND-형은 다시 Cell당 저장 가능한 bit수에 따라서 SLC(Single Level Cell)과 MLC(Multi Level Cell)로 구분된다. NOR-형은 BIST(Bulit-In Self Test), BIRA(Bulit-In Redundancy Analysis)등의 많은 연구가 진행되었지만 NAND-형의 경우 BIST 연구가 적다. 기존의 BIST의 경우 고가의 ATE 등의 외부 장비를 사용하여 테스트를 진행해야한다. 하지만 본 논문은 MLC NAND-형 플래시 메모리를 위해 제안되었던 MLC NAND March(x)알고리즘과 패턴을 사용하며 내부에 필요한 패턴을 내장하여 외부 장비 없이 패턴 테스트가 가능한 유한상태머신(Finite State Machine) 기반구조의 MLC NAND-형 플래시 메모리를 위한 BIST를 제안하여 시스템의 신뢰도 향상과 수율향상을 위한 시도이다.
#Memory Test #MLC NAND Flash memory #BIST(Built-In Self Test) #Fault Test

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. NAND-형 플래시 메모리 구조
Ⅲ. NAND-형 플래시 메모리 고장유형
Ⅳ. MLC NAND-March(x) 알고리즘
Ⅴ. 제안하는 MBIST 구조
Ⅵ. 실험
Ⅶ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (12)

참고문헌 신청
1. [단행본] - Joe E. Brewer / 2008 / Nonvolatile MEmory Technologies with Emphasis on Flash / Institute of Electrical and Engineers google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Pavan P / 1997 / Flash memory cells—.an overview / Proc IEEE 85 (8) : 1248 ~ 1271 google schola 3. [학술대회논문] - M. G. Mohammed / 2001 / Flash Memory Disturbances : Modeling and Test / Proceedings of 19th VLSI Test Symposium : 218 ~ 224 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Tei-Wei Kuo / 2011 / An efficient fault detection algorithm for NAND flash memory / Proc ACM SIGAPP Applied Computing Review 11 (2) google schola 5. [학술대회논문] - S. Kchiu / 2002 / Diagonal Test and Diagnostic Schemes for Flash Memories / Proceedings of International Test Conference : 37 ~ 46 google schola

이 논문의 저자 정보

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