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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.10
- 수록면
- 25 - 32 (8page)
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MLC NAND flash memory에서 cell간의 기생 커패시턴스 커플링으로 인해 발생하는 CCI에 의한 data error를 개선하기 위한 알고리듬을 제안하였다. 종래의 victim cell 주변 8-cell model보다 에러보정 알고리듬에 적용이 용이한 3-cell model을 제시 하였다. 3-cell CCI model의 성능을 입증하기 위해 30nm와 20nm급 공정의 MLC NAND flash memory의 data분포를 분석하여, 주변 cell의 data pattern에 의한 victim cell의 Vth shift관계를 확인하였다. 측정된 Vth분포 data에 MatLab을 이용하여 제안된 알고리듬을 적용하는 경우 BER이 LSB에서는 28.9%, MSB에는 19.8%가 개선되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅱ. 실험
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개
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정진호 / 2011 / MLC NAND Flash Memory의 Read Operation에 적합한 CCI cancelling 알고리즘 / 한국반도체학술대회 FD4-3 :571~572
Tae-hee Cho / 2001 / A dual-mode NAND flash memory: 1-Gb multilevel and high-performance 512Mb single-level modes / IEEE J. Solid-State Circuits 36(11):1700~1706
김두환 / 2010 / MLC NAND 플래시 메모리의 셀 간 간섭현상 감소를 위한 등화기 알고리즘 / 전기학회논문지ABCD 59(6):1095~1102
Tae-Kyung Kim / 2009 / Floating gate technology for high performance 8-level 3-bit NAND flash memory / ESSE 53(7):792~797
전명운 / 2010 / MLC 플래시 메모리에서의 셀간 간섭 제거 알고리즘 / 전자공학회논문지 - SD 47(12):8~16
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2013-569-000942802