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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이재성 (위덕대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第47卷 SD編 第4號
발행연도
2010.4
수록면
13 - 19 (7page)

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중수소 결합이 존재하는 게이트 산화막을 갖는 MOSFET는 일반 MOSFET에 비해 신뢰성이 개선된다고 알려져 있다. 본 연구에서는 MOS 소자의 게이트 산화막내에 중수소를 분포시키기 위해 새로운 중수소 이온 주입법을 제안하였다. MOS 소자를 구성하는 층간 물질 및 중수소가 분포할 위치에 따라 중수소 이온 주입 에너지는 다양하게 변하게 된다. 이온 주입 후 발생할 수 있는 물질적 손상을 방지하기 위해 후속 열처리 공정이 수반된다. 제조된 일반 MOSFET를 사용하여 제안된 중수소이온 주입을 통해 게이트 산화막내 계면 및 bulk 결함이 감소함을 확인하였다. 그러나 이온 주입으로 인해 실리콘 기판의 불순물 농도가 변화할 수 있으므로 이온 주입 조건의 최적화가 필요하다. 중수소 이온 주입된 MOSFET의 CV 및 IV 특성 조사를 통해 이온 주입으로 인한 트랜지스터의 성능 변화는 발생하지 않았다.
#Gate oxide #Deuterium #Implantation #Interface states #Defects

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과
Ⅳ. 토의
Ⅴ. 결론
참고문헌
저자소개

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