중수소 이온 주입에 의한 MOS 커패시터의 게이트 산화막 절연 특성 개선

서영호 ,  이재성 ,  도승우 외 1명

전기전자재료학회논문지

2011 .01

산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석 ( An Analysis of Electrical Characteristics of Gate Oxides by Oxidation Ambience )

정회환 ,  김동식 ,  정관수

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석

정회환 ,  김동식 ,  정관수

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Wet 게이트 산화막과 Nitride 산화막 소자의 특성에 관한 연구

이용희 ,  최영규 ,  류기한 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1999 .06

MOSFET 게이트 산화막내 결함 생성 억제를 위한 효과적인 중수소 이온 주입

이재성 ,  도승우 ,  이용현

전자공학회논문지-SD

2008 .07

플라즈마 이온주입법으로 질소 주입한 공구강 표면특성에 관한 연구

유용주 ,  전신희 ,  천희곤 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2004 .11

중수소 이온 주입된 게이트 산화막을 갖는 MOSFET의 전기적 특성

이재성

전자공학회논문지-SD

2010 .04

정전류 스트레스 하에서 게이트 산화막의 항복 특성 예측 ( Prediction of Gate Oxide Breakdown under Constant Current Stresses )

정태식 ,  최우영 ,  이상돈 외 3명

전자공학회논문지-A

1996 .07

비대칭형 무접합 이중게이트 MOSFET에서 산화막 두께와 문턱전압이동 관계

정학기

전기전자학회논문지

2020 .03

크롬강의 질소이온 주입에 따른 기계적 특성 변화

김범석 ,  이상율 ,  이재상 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2006 .04

Tail 전자 Hydrodynamic 모델을 이용한 게이트 산화막 주입 시뮬레이션

안재경 ,  박영준 ,  민홍식 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

질소 이온 주입이 지르코늄 합금의 부식 거동에 미치는 영향

이성준 ,  권혁상

한국표면공학회 학술발표회 초록집

1995 .05

박막 게이트 산화막에 대한 Ru-Zr 금속 게이트의 신뢰성에 관한 연구

李忠根 ,  徐賢尙 ,  洪信男

전기학회논문지 C

2004 .04

낮은 에너지의 As₂^(+) 이온 주입을 이용한 얕은 n^(+)-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 ( 70nm NMOSFET Fabrication with Ultra-shallow n+-p Junctions Using Low Energy As₂^(+) Implantations )

최병용 ,  성석강 ,  이용덕 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .02

플라즈마 질화산화막을 적용한 CMOSFET의 질소 농도에 따른 저주파 잡음 특성 분석

복정득 ,  한인식 ,  권혁민 외 7명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

Ti-Ploycide 게이트에서 게이트산화막의 전연파괴특성

고종우 ,  고종우 ,  고종우 외 3명

한국재료학회지

1993 .01

열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 QBD 특성에 미치는 영향 ( Annealing Effects on QBD of Ultra-Thin Gate Oxide Grown on Nitrogen Implanted Silicon )

남인호 ,  홍성인 ,  심재성 외 2명

전자공학회논문지-SD

2000 .03

질소이온주입이 Zircaloy-4의 고온부식 특성에 미치는 영향

이성준 ,  권혁상 ,  김완

한국표면공학회 학술발표회 초록집

1996 .11

비대칭 이중게이트 MOSFET에서 산화막 두께와 DIBL의 관계

정학기

한국정보통신학회논문지

2016 .04

이중게이트 MOSFET의 대칭 및 비대칭 산화막 구조에 대한 문턱전압 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2014 .12