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다결정 실리콘으로 구성된 금속-반도체-금속(MSM) 구조의 광검출기의 광 응답 특성을 개선시키기 위해 중수소를 사용한 후속 공정을 행하였다. 다결정 실리콘 내 중수소 결합 형성 방법에 따른 광검출기의 특성 변화를 전기적 측정을 통해 비교하였다. 광검출기는 Schottky 접합 특성을 갖기 위해 Al/Ti 전극 금속이 사용되었다. 본 연구에서는 광 흡수 영역인 다결정 실리콘 내에 중수소 결합을 형성시켜 다결정 실리콘 내에 존재하는 결함을 효과적으로 passivation하여 결함밀도를 감소시키고자 한다. 후속 중수소 공정으로는 열처리 확산 방법과 이온 주입 방법을 각각 사용하였다. 중수소 열처리 확산 방법을 통해서 중 수소는 다결정 실리콘의 표면 근처에 대부분 존재하였다. 다결정 실리콘의 표면은 광 흡수가 일어나는 부분이므로 중수소의 결합을 통해 광 응답 특성이 개선됨을 확인하였다. 중수소 이온 주입 방법을 통해서는 중수소를 다결정 실리콘 내부로 쉽게 분포시킬 수 있지만 다결정 실리콘 표면 근처에 결함을 만들 수 있어 광 응답 특성을 저하시키는 원인이 되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - R. A. Soref / 1986 / All-silicon active and passive guided-wave components for λ =1. 3 and 1. 6 μm / IEEE J. Quantum Electron 22 : 873 ~ 879
[학술지(정기간행물)] - R. A. Soref / 1986 / Kramers-kronig analysis of Electro-optical switching in silicon / Proc. SPIE Integr. Opt. Circuit Eng 704 : 32 ~ 37
[학술대회논문] - E. Budianu / 2003 / Poly-silicon thin layer photodetector structures / International Semiconductor Conference 1
[학술지(정기간행물)] - R. P. MacDonald / 1999 / MSM photodetector fabricated on polycrystalline silicon / IEEE Photon. Technol. Lett 11 : 108 ~ 110
[학술지(정기간행물)] - T. Y. Hsiang / 1993 / Picosecond silicon metal-semiconductor-metal photodiode / Proc. SPIE 2022 : 76 ~
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