Negative-bias Temperature Instability 및 Hot-carrier Injection을 통한 중수소 주입된 게이트 산화막의 신뢰성 분석

이재성

전기전자재료학회논문지

2008 .01

Suppression of Gate Oxide Degradation for MOS Devices Using Deuterium Ion Implantation Method

이재성

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2012 .01

중수소 이온 주입에 의한 MOS 커패시터의 게이트 산화막 절연 특성 개선

서영호 ,  이재성 ,  도승우 외 1명

전기전자재료학회논문지

2011 .01

중수소 이온 주입된 게이트 산화막을 갖는 MOSFET의 전기적 특성

이재성

전자공학회논문지-SD

2010 .04

MOSFET 게이트 산화막내 결함 생성 억제를 위한 효과적인 중수소 이온 주입

이재성 ,  도승우 ,  이용현

전자공학회논문지-SD

2008 .07

중수소 결합 형성 방법에 따른 다결정 실리콘 광검출기의 광반응 특성

이재성

전자공학회논문지

2015 .11

수소 및 중수소가 포함된 실리콘 산화막의전기적 스트레스에 의한 열화특성

이재성 ,  백종무 ,  이용현 외 2명

전기전자재료학회논문지

2005 .01

얇은 Si 산화막을 지닌 MOS 구조의 전기적 특성

성영권 ,  안상식 ,  백우현

대한전기학회 학술대회 논문집

1984 .07

MOS 구조의 특성

성영권 ,  여권 ,  이상훈

대한전기학회 학술대회 논문집

1986 .07

동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )

김진섭 ,  이우일 ,  이대우 외 1명

전자공학회지

1985 .07

중수소 프라즈마 처리가 다결정 실리콘 TFT의 안정성에 미치는 영향에 관한 연구

손송호 ,  배성찬 ,  김동환

한국재료학회지

2004 .01

Deuterium NMR studies of (μ-C2H)[Co(CO)3]3

우애자 ,  Ma ,  ia I. Altbach 외 1명

Journal of the Korean Magnetic Resonance Society

1997 .01

GSI급 MOS Transistor 개발을 위한 HEI (High-Energy Ion Implantation) 공정 분석 시뮬레이터 개발

손명식 ,  박수현 ,  이영직 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1999 .06

D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계

성만영

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01

Diffusion / Ion Implantation

송성해

대한전자공학회 단기강좌

1982 .01

Dynamics of Deuterium Desorption from SS316LN

Lan Anh Thi Nguyen ,  Sang-hwaLee ,  Jaeyong Kim

한국가스학회 학술대회논문집

2016 .06

MOS Processing

이종덕

대한전자공학회 단기강좌

1982 .01

낮은 에너지의 As₂^(+) 이온 주입을 이용한 얕은 n^(+)-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 ( 70nm NMOSFET Fabrication with Ultra-shallow n+-p Junctions Using Low Energy As₂^(+) Implantations )

최병용 ,  성석강 ,  이용덕 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .02