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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제8호
발행연도
2011.1
수록면
609 - 615 (7page)

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본 논문에서는 3 nm의 두께를 갖는 게이트 산화막에 중수소 이온 주입 방법을 이용하여 게이트 산화막의 절연 특성을 향상 시킨 연구를 하였다. 중수소 이온들은 게이트 윗 부분에서 D peak을 이루어 자리잡게 하여 주입을 하였다. 질소로 이루어진 가스를 형성하여 짧게 어닐링을 하여 중수소 이온 주입 시 생기는 damage를 제거하였다. 우리는 SRIM (stopping and range of ions in matter) tool을 이용하여 최적의 중수소 이온 주입 조건을 찾기 위해 모의실험을 하였다. 우리는 모의실험의 결과로 최적의 조건을 얻을 수 있었다. 우리는 최적의 조건으로 이온 주입한 소자와 그 외의 조건으로 이온 주입한 소자를 전기적인 특성으로 비교하였다. 또한, 중수소 이온 주입 후 어닐링 조건을 변화시켜 전기적인 특성을 분석하였다. 분석 결과, 최적의 조건으로 이온 주입한 소자의 게이트 산화막 항복시간이 길어졌다. 그리고, 다양한 어닐링 조건으로 한 소자에서는 어닐링 시간이 긴 소자에서 더 좋은 절연 특성을 보였다. 하지만, 고온으로 한 것은 열적 스트레스 때문에 안 좋은 결과를 초래하였다.

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