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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제28권 제4호
발행연도
2015.1
수록면
213 - 217 (5page)

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본 논문은 JFET영역에 Phosphorus 단일이온 주입과 이중이온 주입 방법을 통하여 제작한 MOSFET의 전기적 특성을 비교 분석하였다. 제작한 2가지 타입의 MOSFET은 모표 항복전압 550 V를 만족하였으며, 단일이온 주입보다 이중이온 주입한 MOSFET에서 Vth, 포화전류 및 온-저항의 특성 개선을 보였다. 이러한 특성 변화는 1차 이온 주입 후 고온 열처리로 Phosphorus 이온을 확산할 때 JFET영역에서 깊이에 따른 농도 차이를 2차 이온 주입한 Phosphorus 이온이 보상한 결과로 특성이 향상됨을 확인하였다. 본 연구에서 얻어진 JFET 영역에 이중이온 주입 power MOSFET 제조 방법은 향후 반도체 전하 전달 체제 연구를 통하여 스위칭 특성 향상을 위한 반도체 소자 개발의 기초자료로서 활용될 것으로 기대 된다.
#Power MOSFET #Ion implant #On-resistance #Junction field area #JFET implant

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A. Michez / 2013 / / Microelectron Reliab 53 : 1306 ~ google schola B. Bernoux / 2009 / / IEEE International Symposium on Industrial Electronics : 2016 ~ google schola D. K. Schroder / 2006 / / New Jersey Wiley google schola D. Ueda / 1985 / / IEEE Trans Electron Dev. ED-32 : 2 ~ google schola E. Pomes / 2012 / / Materials Science and Engineering : B 177 : 1362 ~ google schola

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