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저자정보
Sung-Pill Nam (Kwangwoon University) Sung-Gap Lee (Gyeongsang National University) Seon-Gi Bae (University of Incheon) Young-Hie Lee (Kwangwoon University)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.2 No.1
발행연도
2007.3
수록면
98 - 101 (4page)

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Yttrium(Y)-substituted bismuth titanate (Bi<SUB>4_x</SUB>Y<SUB>x</SUB>)Ti₃O₁₂ [x=0 0.25, 0.5, 0.75, 1] (BYT) thin films were deposited using an RF sputtering method on the Pt/TiO₂/SiO₂/Si substrates. The structural properties and electrical properties of yttrium-substituted (Bi₄-xYx)Ti₃O₁₂ thin films were analyzed. The remanent polarization of (Bi₄-xYx)Ti₃O₁₂ films increased with increasing Y-content. The (<SUB>3.25</SUB>Y<SUB>0.75</SUB>)Ti₃O₁₂ films fabricated using a top Au electrode showed saturated polarization-electric field (P-E) switching curves with a remanent polarization (Pr) of 8 μC/㎠ and coercive field (Ec) of 53 ㎸/㎝ at an applied voltage of 7 V. The (Bi<SUB>3.25</SUB>Y<SUB>0.75</SUB>)㎸ films exhibited fatigue-free behavior up to 4.5×10¹¹ read/write switching cycles at a frequency of 1㎒.
#BYT #Fatigue property #RF sputtering #Thin film

목차

Abstract
1. Introduction
2. Experiments
3. Results and discussion
4. Conclusion
Acknowledgements
References

참고문헌 (8)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - / 1992 / Fatigue and switching in ferroelectric memories google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / 1995 / Fatigue-Free Ferroelectric Capacitors with Platinum-Electrodes 374 : 627 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - / 2005 / B-site doping effect on ferroelectric property of bismuth titanate ceramic 98 : 14104 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Lanthanum-substituted bismuth titanate for use in non volatile memories 401 : 682 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - / 2002 / Characterization of BLT thin films using MgO bufer for MFIS-FET 42 : 230 ~ google schola

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