고출력 트랜지스터 패키지 설계를 위한 새로운 와이어 본딩 방식

林鍾植; 吳星慜; 朴天仙; 李龍鎬; 安達

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자료유형: 학술저널

저자정보: 林鍾植 (순천향대학교) 吳星慜 (RFHIC) 朴天仙 (순천향대학교) 李龍鎬 (RFHIC) 安達 (순천향대학교)

저널정보: 대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제57권 제4호

발행연도: 2008.4

수록면: 653 - 659 (7page)

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This paper describes the design of high power transistor packages using high power chip transistor dies, chip capacitors and a new wire bonding technique. Input impedance variation and output power performances according to wire inductance and resistance for internal matching are also discussed. A multi crossing type (MCT) wire bonding technique is proposed to replace the conventional stepping stone type (SST) wire bonding technique, and eventually to improve the output power performances of high power transistor packages. Using the proposed MCT wire bonding technique, it is possible to design high power transistor packages with highly improved output power compared to SST even the package size is kept to be the same.

#High power package #Wire bonding #DGS #Multi crossing wire bonding

Abstract
1. 서론
2. 와이어 길이에 따른 인덕턴스와 저항 특성
3. 징검다리 방식의 와이어 본딩을 이용한 고출력 패키지 설계
4. 입체교차 방식의 와이어 본딩을 이용한 패키지 설계
5. MCT에 의한 고출력 트랜지스터 패키지의 특성 향상
6. 와이어의 길이와 간격에 따른 상호결합의 안정성
7. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개

참고문헌 (9)

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1. [단행본] - John L.B. Walker / 1993 / High Power GaAs FET Amplifiers / ARTECH HOUSE

2. [학술대회논문] - W. Nagy / 2005 / 150 W GaN-on-Si RF Power Transistor / 2005 IEEE MTT-S International : 483 ~ 486

3. [단행본] - Steve C. Cripps / 2006 / RF Power Amplifiers For Wireless Communications / ARTECH HOUSE

4. [학술대회논문] - Hidenori Shimawaki / 2005 / GaN-based FETs for Microwave High-Power Applications / 13th GAAS Symposium2005 : 377 ~ 380

5. [학술지(정기간행물)] - D.M. Keogh / 2004 / Anaylisys of GaN HBT Structures for High Power, High Efficiency Microwave Amplifiers / International Journal of High Speed Electronics and Systems 14 (3) : 831 ~ 836

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