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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제9권 제3호
발행연도
2008.6
수록면
649 - 657 (9page)

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본 논문은 트랜지스터 다이， 칩 커패시터， 커패시터와 트랜지스터 다이를 연결하는 와이어 본딩으로 구성된 질화갈륨 고출력 트랜지스터 패키지에 있어서， 그 출력 성능의 최적화에 대하여 언급한다. 와이어 본딩 방법에 따른 출력 전력의 최적화된 결과와， 와이어 본딩과 바이어스 조건에 따른 3차 상호변호 특성 최적화 풍이 기술되어 있다. 또한 본 논문에는 제한된 면적내의 고출력 트랜지스터 패키지에서 와이어 본딩으로 구현된 인덕턴스에 따라 얼마나 그 출력 성능이 민감하게 반응하는지를 시뮬레이션을 통하여 제시하고 있다.
#GaN #High power transistor package #wire bonding #Gallium nitride

목차

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참고문헌 (8)

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1. [단행본] - John L. B. Walker / 1993 / High Power GaAs FET Amplifiers / ARTECH HOUSE google schola 2. [학술대회논문] - W. Nagy / / 150 W GaN-on-Si RF Power Transistor / 2005 IEEE MTT-S International : 483 ~ 486 google schola 3. [단행본] - Steve C. Cripps / 2006 / RF Power Amplifiers For Wireless Communications / ARTECH HOUSE google schola 4. [학술대회논문] - Hidenori Shimawaki / 2005 / GaN-based FETs for Microwave High-Power Applications / 13th GAAS Symposium2005 : 377 ~ 380 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - D. M. Keogh / 2004 / Analysis of GaN HBT Structures for High Power, High Efficiency Microwave Amplifiers / International Journal of High Speed Electronics and Systems 14 (3) : 831 ~ 836 google schola

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