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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.11
- 수록면
- 2,409 - 2,412 (4page)
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The Wire Bonding is a process for the Semiconductor manufacture. It endows electrical features as the Capillary and Au Wire Connect with the Using Pad and Lead. As it were, combine of it is as follows. At the first, if the energy as if heat, vibration, pressure etc. apply to the FAB, metal grid-to-combine forces become weak. At the second, the Al which is the Pad Metal is to be diffused to the Au. Finally, it is formed combine with the refractory metal-bonding after it is formed the inter-metallic compound(IMC). The manufacturing process of the Semiconductor is needed to detailed and speedy Wire Bonding process as changing to the stack of high level. We studied about a decreasing method of the Wire Bonding’s step to remove equivalent action and improve the productivity when the cascade 4 stacks operate to 9 steps.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 실험 결과
4. 결론
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