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- 자료유형
- 학술저널
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- 발행연도
- 2007.10
- 수록면
- 1,013 - 1,019 (7page)
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150℃의 저온에서 플라즈마 화학기상증착 (PECVD) 방법으로 비정질 규소 및 질화규소 박막을 성막 하였다. 비정질 질화규소 박막은 소스 가스의 수소 분율을 증가시킴에 따라 굴절률이 1.9에 접근하고 질소-수소 결합이 주도적이 되어 고온성막한 박막에 버금가는 특성을 보였다. 비정질 규소 박막은 소스 가스의 수소 분율을 높임에 따라 굴절률과 광학적 금지대역의 크기가 고온 성막된 박막의 값인 4.2와 1.8 eV에 근접한 값을 가지게 되었으며， [Si-H]/([Si-H]+[Si-H₂]의 값이 증가하여 양질의 박막특성을 얻을 수 있었다. RF 전력 및 증착 압력에 대해서 낮은 전력과 작은 압력에서 양질의 박막을 얻을 수 있었으며， 박막 특성은 RF 전력 보다는 증착 압력의 변화에 대해서 좀 더 큰 의존성을 보였다. 박막트랜지스터 제작에 적용 가능한 양질의 비정질 규소 및 질화규소 박막을 저온에서 얻기 위해서는 소스 가스의 수소 분율을 높게 하는 것이 중요한 공통 인자로 파악되었다.
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1. [단행본] - R. A. Street / 1991 / Hydrogenated Amorphous Silicon / Cambridge University Press : 375 ~
2. [단행본] - C. Van Berkel / 1992 / Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices Volume II Materials and Device Physics / Artech House : 412 ~
3. [단행본] - 이충훈 / 2000 / TFT & LCD / 북스힐 : 73 ~ 80
4. [학술지(정기간행물)] - R. Collins / 2003 / Roll-up Displays: Fact or Fiction? / IEE Review : 42 ~ 45
5. [학술지(정기간행물)] - H. Sato / 2007 / A Process for Fabricating Flexible Reflective Display Devices Using a Composite Film of Ferroelectric Liquid Crystal and Polymer / Electronics and Communications in Japan, Part 2 90 (2) : 195 ~ 201
2. [단행본] - C. Van Berkel / 1992 / Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices Volume II Materials and Device Physics / Artech House : 412 ~
3. [단행본] - 이충훈 / 2000 / TFT & LCD / 북스힐 : 73 ~ 80
4. [학술지(정기간행물)] - R. Collins / 2003 / Roll-up Displays: Fact or Fiction? / IEE Review : 42 ~ 45
5. [학술지(정기간행물)] - H. Sato / 2007 / A Process for Fabricating Flexible Reflective Display Devices Using a Composite Film of Ferroelectric Liquid Crystal and Polymer / Electronics and Communications in Japan, Part 2 90 (2) : 195 ~ 201
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