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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 754 - 759 (6page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (5)
2014
2013
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Atomic layer deposition (ALD)에 의해 증착된 알루미늄 산화막 (Al2O3)은 고효율 결정질 실리콘 태양전지를 위한 우수한 패시베이션 효과를 보인다. Al2O3은 고정 음전하를 가지고 있기 때문에 p-형 태양전지 후면에서 field effect passivation에 의한 효과적인 표면 패시베이션을 형성한다. 하지만 ALD에 의한 Al2O3 증착은 긴 공정시간이 필요하다. 이는 기존의 태양전지 산업에 적합하지 않다.
본 논문에서는 공정 시간의 단축을 위해 plasma-assisted atomic layer deposition (PA-ALD) 기술을 사용함으로서 Al2O3을 증착했다. c-Si(100) 기판 위에 증착된 Al2O3의 계면에서 형성된 매우 얇은 SiO2막을 FTIR과 TEM 을 이용하여 확인했다. Al2O3 층의 특성을 최적화하기 위해 증착 온도를 150∼250℃의 범위에서 가변하고, 열처리 온도와 시간을 변화하였다. 결과적으로, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 250℃의 공정온도에서 증착한 Al2O3은 400℃에서 10분 동안의 열처리 온도와 시간에서 1.6 ms의 최고의 유효 반송자 수명을 보였다. 또한 p형 기반의 실리콘 위에 증착된 Al2O3막을 소성과정을 통해 나노미터 크기의 blistering을 확인하였다.
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