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송세영 (충남대학교) 박제준 (충남대학교) 강민구 (한국에너지기술연구원) 송희은 (한국에너지기술연구원) 장효식 (충남대학교)
저널정보
한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2012년도 추계학술발표대회 논문집
발행연도
2012.11
수록면
63 - 67 (5page)

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Aluminum oxide(Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>) flim by atomic layer deposition (ALD) is known to supply excellent surface passivation properties on crystalline Si surfaces. The passivation layer with good quality is important for high-efficiency silicon solar cell. Since Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> has fixed negative charge, it forms effective surface passivation by field effect passivation on the rear side in p-type silicon solar cell. However, Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> by ALD process needs very long process time, which is not applicable in the conventional silicon solar cell. In this paper, plasma-assisted ALD was applied to form Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> to reduce the process time. Plasma-assisted atomic layer deposition (PA-ALD) technique was used to trimethylaluminum (TMA) precursors and O<SUB>2</SUB> gas plasma species leading to self limiting surface reaction. this is adopted as a promising method for growing Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> thin films. To optimize the Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> layer properties, the deposition temperature was changed in range of 150-250℃, then the annealing temperature and time were varied. As a result, aluminum oxide (Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>) flim on the silicon wafer formed in the deposition temperature, the annealing temperature and time with 250℃, 400℃ and 10 min, respectively, showed the best lifetime of 1610μs.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

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