메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
Tohru Iuchi (Toyo University) Atsushi Gogami (Toyo University)
저널정보
제어로봇시스템학회 제어로봇시스템학회 국제학술대회 논문집 ICCAS-SICE 2009
발행연도
2009.8
수록면
2,806 - 2,811 (6page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
The emissivity behavior of a silicon wafer is simulated using a simple modeling of the spectral, directionaland polarization characteristics of thermal radiation. This study reveals that the p-polarized spectral emissivity of the silicon wafer at a specified direction remains constant. Then, subsequent experiments confirmed the simulated resultsthat the p-polarized emissivity of silicon wafers is maintained to be 0.83 at an angle of 55.4º and a wavelength of 0.9 μm in spite of wide variations in oxide film thickness from 0 to 950 nm, temperature over 900 K as well as resistivity from0.01 to 2000 Ωcm relevant to impurity concentrations doped into the silicon wafer. The overall extended uncertainty (k=2) of the temperature measurement is estimated to be 3.82 K over 900 K at the moment. This result is expected to enable significantly more accurate in situ radiation thermometry of silicon wafers in real manufacturing processes.

목차

Abstract
1. INTRODUCTION
2. SIMULATION MODELING
3. EXPERIMENTAL
4. CONSIDERATIONS
5. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-569-000767438