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The cleaning process of contaminant particles adhering to the microchips, integrated circuits (ICs) or the like is essential in modem microelectronics industry. In the cleaning process particularly working with the application of inert gases, the removal of contaminant particles of submicron scale is very difficult because the particles are prone to reside inside the boundary layer of the working fluid. The use of cryogenic CO₂ cleaning method is increasing rapidly as an alternative to solve this problem. In contrast to the merits of high efficiency of this process in the removal of minute particles compared to the others, even fundamental parametric studies for the optimal process design in this cleaning process are hardly done up to date. In this study, we attempted to measure the cleaning efficiency with the variations of some principal parameters such as mass flow rate, injection distance and angle, and tried to draw out optimal cleaning conditions by measuring and evaluating an effective cleaning width called d??.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 극저온 CO₂ 세정 원리
3. 실험
4. 결과
5. 결론
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