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We investigate the reaction stability of cobalt and nickel with side-wall materials of SiO₂ and Si₃N₄. We deposited 15 ㎚-Co and 15 ㎚-Ni on SiO₂(200 nm)/p-type Si(100) and Si₃N₄(70 ㎚)/p-type Si(100). The samples were annealed at the temperatures of 700~1100℃ for 40 seconds with a rapid thermal annealer. The sheet resistance, shape, and composition of the residual materials were investigated with a 4-points probe, a field emission scanning electron microscopy, and an AES depth profiling, respectively. Samples of annealed above 1000℃ showed the agglomeration of residual metals with maze shape and revealed extremely high sheet resistance. The Auger depth profiling showed that the SiO₂ substrates had no residual metallic scums after H₂SO₄ cleaning while Si₃N₄ substrates showed some metallic residuals. Therefore, the SiO₂ spacer may be appropriate than Si₃N₄ for newly proposed Co/Ni composite salicide process.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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